简介:摘要:量子点是近年来发展较快的纳米荧光材料,特别是在医疗卫生、离子检测、催化反应等领域受到了研究人员的重点关注。因具有发射波长跨度大、峰型窄、粒子的粒径均匀、斯托克斯位移大和紫外吸收光谱宽等优点,在发光领域占据重要地位。半导体白光 LED 作为 21 世纪的新型照明器件,具有节能、寿命长、体积小、色彩丰富、绿色环保等显著优势,可以广泛应用于显示、普通照明等领域。 LED 照明技术的开发及推广,具有重要的经济效益。目前,在 LED 芯片上涂覆荧光粉的白光器件已得到广泛应用,微米级的荧光粉存在较大的荧光损失,且吸收光谱范围较窄,对 LED 芯片要求较高,配成的白光存在色温偏冷,显色指数较低等问题。而纳米级的半导体量子点则可以克服以 上缺点,相应的研究已经取得了很大进展。
简介:摘要:本文采用密度泛函理论和含时密度泛函理论,分别计算研究了量子点团簇(CdSe)N (N = 6、13和19)和过渡金属掺杂量子点团簇CdN-1SeNV、CdN-2SeNV2(N = 6、13和19)的结构和光学性质,探讨了过渡金属掺杂比例和量子点尺寸效应对结构和紫外可见吸收光谱的影响。为制备稀磁半导体提供理论依据。
简介:得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。
简介:采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5~74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.
简介:考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15~45℃温度范围,其模式增益具有低的偏振相关性(2%以内);当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时,模式增益逐渐增大,且能在一定温度下保持低的偏振相关(3%以内)。