简介:摘要:具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一,推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步,而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。
简介:TEV是电力系统设备中因为放电所产生外壳瞬时带电的对地电压。针对13台电力系统实际使用的10kV断路器进行局部放电实验,利用TEV检测原理得出10kV断路器在不同加压方式和不同位置的TEV值,并以此来判断局部放电的水平,从而确定断路器机械性能的改变及潜在的运行风险。对比实验数据可得,绝缘拉杆出现松动的断路器,其TEV测量值都出现了异常,这表明TEV值的异常与断路器一次回路出现松动等问题之间存在一定的关联,一次回路零部件的问题会对局放测量结果产生影响。通过实验建立数据库及相应谱图,可以掌握断路器的一次回路零件状况,对指导电力系统中断路器的检修工作有着十分重要的意义。
简介:摘要:作为一种高能二次电池,矿用镍氢电池具有容量大、功率大、无污染、循环寿命长、充放电能力强、安全性高等优点,非常适用于矿山备用电源。本文主要介绍了镍氢电池在正常运行、过充和过放电条件下的电化学反应,介绍了镍氢电池的类型和组成,描述了不同条件下充放电端电压随时间的变化曲线,分析了镍氢电池在不同条件下的自放电情况,并对镍氢电池的循环寿命和安全性进行了分析。可以为镍氢电池智能管理的软硬件设计和SOC的估算分析提供基础依据。