简介:Pb-B-Si系低熔点玻璃是一种具有较好封接性能的玻璃粉,将其应用在不锈钢真空保温容器无尾封接中存在真空烧结时气泡消除缓慢、强度不够等问题。通过对Pb-B-Si系玻璃进行配方优化调节后,对玻璃粉进行性能检测,对焊点形貌等进行研究,采用扫描电镜分析了烧结层的微观结构。结果表明,优化后的配方体系为Pb-B-Si-ZnAl-CuO,其中Pb为83%,CuO为3.5%(质量分数)时,可以显著提高无尾封接时的强度,提高真空度。使用该玻璃粉生产的不锈钢真空容器的焊点饱满、光亮,接头强度好,无明显缺陷,显示其对不锈钢容器良好的封接强度。
简介:介绍了NiTiZr高温形状记忆合金的研究进展,重点评述了NiTiZr中Zr添加及热处理对合金的相变温度、形状记忆效应的影响,同时探讨了NiTiZr合金加工特性及相变的微观机理,最后提出了需要进一步研究的问题。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。