简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:摘 要:为改善化学机械抛光加工碳化硅试件过程中存在的表面质量差等问题,将超声振动辅助化学机械抛光加工碳化硅与化学机械抛光进行对比,研究超声振动辅助抛光的效果。
简介:本文考察了烧成温度、成形压力、烧成时间、成孔剂的加入量和玻璃相加入量对SiC微孔陶瓷过滤板孔隙率及微观结构的影响。研究表明:烧成温度为1300℃、成形压力为40kN、烧成时间为4h、成孔剂加入量为16.5%时,制备出的SiC微孔陶瓷过滤板有着更为优良的性能。
简介:摘要:碳化硅非线性电阻作为发电机灭磁的先进技术,被广泛应用于大、中型发电机设备中。碳化硅灭磁电阻目前主要依赖于进口,且进口碳化硅灭磁电阻价格较高。基于此,本文深入阐述国产碳化硅创新研究成果,并探索与氧化锌非线性灭磁电阻组合应用技术。本文在对常规灭磁电阻技术进行比较基础上,阐释碳化硅非线性灭磁电阻技术本质和技术优势,并寻求国产碳化硅非线性灭磁电阻技术的应用路径。研究旨在通过国产碳化硅灭磁技术的创新和应用,推动我国非线性灭磁电阻技术水平的提升,为实现工业民族自信贡献绵薄之力。