简介：MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展，已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一，由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点，在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制，阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点，如粉料配制、流延、层压、烧结等，对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试，结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。

简介：电子电路曲面结构对于实现结构功能一体化有重要应用意义。针对LTCC多层电路基板,提出了一种曲面结构基板的加工制造方法。介绍其制造中曲面结构导体制作、曲面结构成形、曲面结构烧结等环节的关键制造工艺。通过X光和剖切方式对所制造的曲面基板进行测试分析,结果证实曲面基板中的多层布线均连通,且层间对位精度优于15μm。提出的曲面LTCC基板制造技术能够满足后续产品的研制加工要求,对于曲面电子技术和LTCC技术的发展都具有借鉴意义。

简介：机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。

简介：通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08mm、空腔尺寸准确度优于±0.15mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。

简介：低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术，文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述，主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题，同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。

简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。

简介：LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大，使烧成基板的平面尺寸难以精确控制，成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍，需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上，通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板，提出评价指标，根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究，重点突破了层压与共烧工艺，将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0．3％-±0．4％减小到小于士0．04％，可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。

简介：采用Lighttools仿真软件对荧光粉散射特性进行理论分析,提出透光率≥95%的平面高硼硅玻璃作为COB基板。结果显示,在常见的荧光粉粒径大小与浓度下,荧光粉反向散射可达29%。采用高透光玻璃作为基材,增加了荧光粉反向散射光线的利用率,并制作了双面发光的高取光率长条形COBLED并表征其性能参数与可靠性试验。该暖白光3000KCOBLED具有180lm/W高光效,发光角度大于250°,色容差小于5SCDM,可靠性好。与陶瓷基板、铝基板的COBLED结构相比,该结构可提高取光率约15%,有潜力用于大功率LED封装应用。

简介：介绍了共烧陶瓷多层基板自动光学检测系统中的计算机视觉检测识别的研究，重点介绍了基板图像的采集、预处理、缺陷图像的提取和分类识别方法等。文中提出了一种基于多模板比较和链码跟踪识别的缺陷分类识别算法。实验表明，该算法运算简单，运行速度较快，故障识别率高。

简介：随着集成电路设计技术及工艺技术的发展，元器件的工作频率越来越高，对微电子封装技术的要求也越来越严格。目前，BGA与MCM作为逐渐普及的封装形式，其基板上都有大量的过孔，在高频时必须考虑过孔寄生参数对芯片电性能的影响，特别是针对于射频电子和高速数字IC。文章以CBGA基板过孔为例，通过有限元方法初步探讨了不同参数的过孔其寄生参数RLC的变化趋势。并以其中一组寄生参数分析了对某理想放大器电路输出波形造成的过冲与畸变等影响。

简介：文章介绍了集成微电路基板清洗领域的ODS替代清洗技术,着重介绍了十槽式超声波清洗机在高精度的集成电路清洗工艺中的具体应用

简介：由于LCD产品的薄、轻、省电等特征,在各个领域都受到广泛使用,随着人们对高显示信息、高显示质量和显示全彩化的要求,在一定视域内,要求彩色STN液晶显示器具有更多更密的象素,势必要求显示电极图形的制作越来越精密.本文将通过对CSTN-LCD电极图形制作流程和部分实用物理清洗方法的介绍,说明电极图形制作中ITO基板清洗的重要性.

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：KIC近日推出KICVision温度曲线自动测量系统，用于再流焊工艺。该公司说，该系统在测量温曲线时不需要中断生产，也不需要增加其他设备，能够自动地编制文件，可以随时调用。可以取代用手工测量温度曲线。

简介：T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化。针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证。将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

简介：本文通过计算理论分析和实例分析得知水的温度影响水泵实测效率较小,主要原因是占水泵效率90％以上的部分与水的密度ρ无关。而且在0℃～40℃内,水的密度ρ本身数值随水的温度的变化较小。故水温可不测量,并不影响水泵效率合格与否。

简介：环氧模塑料（EMC）作为半导体产业的三大基材之一，其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间（GT）和螺旋长度（SF）是环氧模塑料的两个基本性能表征指标，直接决定封装工艺参数选择范围，而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温（Thawing）及模压（Molding）等系列工序的操作及环境温度，对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件（电路）的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

简介：<正>1引言增压流化床燃烧联合循环(PFBC-CC)具有高于41％的发电效率,比常规燃煤电站约38％的发电效率高了不少。煤在燃烧时释放的90％以上的硫可以被脱硫剂除去,同时温度可以维持在低于900℃情况下燃烧;而这一温度低于氮氧化物形成和煤的灰份结渣的起限,有助于燃煤锅炉无需添加污染控

简介：<正>近十年来,国内研制和生产PTC功能陶瓷材料已形成一定的规模,达到了较高的水平。同时,对烧成用电炉的研制开发也有了迫切的市场需求。我们针对断续生产方式的专用箱式电炉和连续生产方式的推板窑,进行了结构以及温度控制方面的研制工作,并已成功地应用于多条生产线上,取得了可观的经济效益。