简介：在现代比较先进的Bipolar技术中，一般采用多晶发射极结构，这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性，因此，这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的，多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后，简单介绍我们工艺开发的第一批结果。

简介：摘要本文研究了锑化镓热光伏电池发射极的优化制备过程，建立了镓空位和间隙态镓共存的扩散方法解释了锌在锑化镓中的扩散过程。研究发现，发射极中锌扩散曲线的高浓度扩散前沿中扩散率与浓度呈二次方关系，而制备电池所需的低浓度扩散前沿中扩散率与浓度呈一次方关系。

简介：本文对TTL与非门多发射极输入端几种特殊接法时的状态进行了分析。

简介：摘要：选择性发射极太阳电池的优势在于其具有高转换效率、低功耗、低成本的特点，可与太阳电池组成高效率互补型太阳电池阵。在实际应用中，为提高太阳电池的转换效率，选择性发射极太阳电池通常采用较小面积，并联连接后组成一个太阳电池组件。选择性发射极太阳电池组件是以普通的硅太阳能电池为基础，利用选择性发射极结构可以进一步提高转换效率。本文所研究的选择性发射极太阳电池与普通硅太阳能电池相比，在相同光照条件下具有更高的输出功率和转换效率，为高性能、低成本太阳电池阵提供了新选择。

简介：研究了不同的选择性扩散方式对SE电池短路电流性能的影响。实验结果表明，采用预淀积PSG层的恒定表面杂质总量的扩散方式的SE电池可获得最佳的短路电流特性。通过对扩散工艺的研究发现．不论何种扩散方式，扩散时间的增加均会微弱降低电池短路电流特性；扩散温度的增加均会使电池的短路电流先增加后降低；在恒定表面浓度扩散过程中的氧化作用会导致电池性能的降低。

简介：

简介：重点介绍了一种直线加速器系统注入能量的高功率微波源四极管发射机。从加速器注入功率要求入手，介绍四极管发射机研制方法。主要内容包括发射机系统构成，指标计算、分配以及具体实现。重点阐述了发射机的固态放大器设计、阳极电源设计、控栅和帘栅电源设计。并对发射机的馈线设计和热设计提出了工程解决方案。针对四极管发射机特点作出了细致分析。项目完成后，经过测试、联调，各项指标满足设计要求，为以后四极管高功率微波源的研制与开发提供了很好的设计参考。

简介： 摘要：调频广播发射台站在极寒的天气下，所有机械设备的运行环境温度会发生较大变化，给设备运行提出了较大的挑战。作为工作人员必须要及时了解天气变化的情况和规律，并及时采取有效措施，确保调幅广播发射站能够正常运行，积累更加丰富的特殊天气变化处理经验。本文主要分析了极寒天气对于调幅广播发射站产生的影响，以及有效的应对措施。

简介：多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；

简介：

简介：摘要：随着光伏产业的蓬勃发展，国内多晶硅行业短短十几年就达到了产量世界第一，生产成本世界先进。在多晶硅行业规模经济时代，加上电价政策和光伏补贴因素的影响，各多晶硅厂商进入加速淘汰阶段。然而，在高质量电子多晶硅的生产中，由于缺乏可靠的技术支持，他们一直进展缓慢。基于此，以下对结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点进行了探讨，以供参考。

简介：摘要：随着光伏产业的蓬勃发展，国内多晶硅行业短短十几年就达到了产量世界第一，生产成本世界先进。在多晶硅行业规模经济时代，加上电价政策和光伏补贴因素的影响，各多晶硅厂商进入加速淘汰阶段。然而，在高质量电子多晶硅的生产中，由于缺乏可靠的技术支持，他们一直进展缓慢。基于此，以下对结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点进行了探讨，以供参考。

简介：意大利首颗全球侦察卫星10月发射；韩国计划08年发射两颗卫星；美国将导弹跟踪卫星的发射推迟至2008年；美国2008年将发射月球勘测卫星；中国计划在2009年发射海洋动力卫星。

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简介：“我记得这一段，挺难缠的。第一个弯得慢慢进入，以便摆好架式脱出长右弯，其间务须留意内侧的大凸块打乱下盘。”在一线拉力车手的百般武艺中，我自问最敬服的一招就是超强记忆力。

简介：贾斯汀是个6岁半的男孩，他好奇，心强，想象力丰富，每次遇到现实生活中的问题，他都会和他的小伙伴小布丁穿越到另一个时代，在那里他们会遇到好朋友奥莉，并且一起寻找解决问题的办法。

简介：谨以此书献给神奇的戈壁荒原献给共和国第一支导弹发射部队献给在戈壁荒原刻下国家荣誉、民族尊严、历史记忆与人格丰碑的全体发射官兵以及他们的亲人!

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。