简介:依据光纤波导中的电磁场传输基本理论,计算了光纤波导中的电磁场分布、约束系数及色散系数随折射率的变化关系,开展了γ射线对融石英材料及色散位移光纤的辐射实验。实验验证了理论计算结果,得到了折射率及色散系数随吸收剂量的变化关系。计算及实验结果均表明:1)光纤的折射率随吸收剂量的增加而增大,辐射效应使电子密度增大是折射率改变的主要因素。2)折射率的变化会引起传输模式的场强分布变化,从而导致光纤的辐射感生波导损耗;在吸收剂量0~2000Gy内,光纤仍满足弱导边界条件,能够维持对传输模式的约束。3)光纤的色散系数随吸收剂量的增加而增大,在吸收剂量0~500Gy内,光纤色散增加量呈逐渐饱和趋势;暴露在核辐射环境中的长距离光纤,其快脉冲光波信号将产生展宽畸变。
简介:数射线,又称正半轴,可以为小学生学习自然数和分数提供直观的几何模型。数的大小可以用点的顺序在几何模型中加以标记,加法和乘法及它们的逆运算也可以用数射线上线段的叠加或缩短加以描述。从自然数扩充到分数(有理数),都可以标记在数射线上,同样可以描述分数的大小和运算。小学数学中的数射线内容容易被教师忽视,究其原因有如下几点:数射线在教材中处于辅助地位;许多教师会将其作为练习课一笔带过,没有对数射线进行进一步探究,因为觉得其用处不大。其实,数射线不仅对于小学数学的数概念教学有着举足轻重的作用,而且能帮助低年级学生更具体和丰富地理解数学。因此,教师应加强小学数学中数射线内容的教学。
简介:摘要目的探讨脑血管接入放射诊治中患者的X射线评价.方法选取我院自2013年11月-2014年11月间收治的脑血管疾病患者98例作为研究对象,其中脑血管造影诊断患者56例,脑血管栓塞治疗患者42例,通过使用DSA机检测面积剂量(DAP)和入射表面剂量(ESD),然后使用转换因子估算有效的剂量.结果其中血管诊断组和栓塞治疗组患者的3个数据差异具有统计学意义,P<0.05.结论在脑血管疾病的诊断治疗中由于会受到大剂量X射线的伤害,因此通过减少摄影总帧数量有效的降低辐射损伤.关键词脑血管疾病;X射线辐射;介入性放射诊治Diagnosisandtreatmentofcerebralvascularinterventionalradiologyinthepatient'sX-rayemissionevaluationAbstractobjectivetoexplorecerebralvascularaccessinpatientsofdiagnosisandtreatmentofradiationX-rayevaluation.SelectionmethodsourhospiGtalsinceNovember2013-November2014were98casesofpatientswithcerebrovasculardiseaseastheresearchobject,thepatientswithcerebralangiographyinthediagnosisof56cases,42patientswithcerebralvascularembolization,throughtheuseofDSAmachinedetectionareadose(DAP)andtheincidentsurfacedose(ESD),andthenusetheconversionfactortoestimatetheeffectivedose.Resultsthepatientswithvasculardiagnosisandembolizationgroupofthreedatastatisticallysignificantdifference,P<0.05).Conclusioninthediagnosisandtreatmentofcerebrovasculardiseasesduetothedamagealargedosesofx-rays,sobyrKeedyucwionrgdsthetotalnumberofframesphotographyeffectivelyreduceradiationdamage.Cerebrovasculardisease;Xrayradiation;Interventionaldiagnosisandtreatmentofradiation中图分类号R142文献标识码B文章编号1001-5302(2015)09-0664-02
简介:通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。