简介：介绍了使用2.45GHZ微波源激励产生常压等离子体射流（MPJ）的装置，该装置结构简单，使用可靠，实验内容丰富，适合教学要求。

简介：常压介质阻挡放电由于其具有均匀、散漫、稳定,而且不需要真空系统等优点,正日益受到人们的重视和研究。文章给出了常压介质阻挡放电的研究进展,包括实验装置、实验条件、放电机理以及最新的诊断方法,还介绍它在材料表面改性、环境工程、食品加工等方面的应用前景。

简介：随着机械装置向结构复杂化发展，常需要对复杂装置的层间挤压应力等接触应力进行研究，这需要利用薄型挤压应力传感器来进行接触测量。进行层间接触测量的传感器不但应具备良好的应力敏感特性，而且应具有优良的柔韧力学性能，选用高导电纳米炭黑、球形石墨为导电粒子，硅橡胶、天然橡胶为基材开展了颗粒填充型导电高分子复合材料的配方工艺优化研究、薄膜制备及均匀性控制方法研究及感压复合材料薄膜的压力一电阻关系研究。

简介：采用固一液一固（SLS）生长机制，研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火，退火温度为1050℃和1080℃，退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化，分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果，并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。

简介：强力旋压是机械加工中的常用方法，它依靠旋轮从工件的表面给材料施加巨大的成型力，使材料整体发生强烈塑性变形而形成所需要的最终形状，在旋轮-工件接触区域，由于旋轮的被动自转，还存在着复杂的多方向的摩擦力，这对工件表面和表层组织形貌有着重要的影响。

简介：针对某曲面薄壁异形件的旋压加工，采用强旋、普旋方法，从旋压件贴模、壁厚、旋压道次、裂纹等方面做了对比试验，探索旋压成形的规律。

简介：目的：探讨作用于大跨度曲面屋盖非定常气动力的特性,为考虑非定常气动力影响的大跨度曲面屋盖抗风设计提供理论参考。创新点：1.采用强迫振动试验;2.采用大涡模拟（LES）流入脉动风的生成方法;3.研究大跨度曲面屋盖非定常气动力特性。方法：1.通过强迫振动风洞试验方法探讨风速、强迫振动振幅、屋盖的矢跨比和缩减频率对非定常气动力的影响;2.采用计算流体力学数值模拟重现风洞试验,从而在更宽的缩减频率范围内分析非定常气动力的特性,并且通过可视化流场的分析探讨风与屋盖相互作用的机理。结论：1.屋盖的振动对屋盖表面的风压分布影响较大。2.屋盖的振动可能抑制屋盖背风面漩涡的脱落。3.根据风洞试验和数值模拟的结果分析得到的矢跨比、风速和振动振幅对气动阻尼系数和气动刚度系数的影响较小;气动阻尼系数和气动刚度系数主要随着缩减频率的变化而变化。4.气动刚度系数为正值,使得结构的总刚度减小,从而减小结构的固有频率;气动阻尼系数为负值,使得结构总阻尼增加。5.风洞试验和LES模拟结果的一致性可以说明,LES是一个能够有效研究非定常气动力特性的数值模拟方法。

简介：为了将模拟结果应用于评价动态内压载荷壳体的激光辐照效应,采用理论分析方法研究了模拟中的相似性问题,给出了飞行动态环境的模拟相似性原则、激光参数的模拟相似性原则和试件大小的模拟相似性原则.对飞行环境效应的模拟,要考虑壳壁气动加热和氧化效应;对光斑半径的模拟,若满足／πkt＜r0≤0.5R条件,则壳壁最高温度近似与光斑半径无关,并且对爆裂破坏模式,光斑半径还要满足热裂纹失稳扩展条件;对壳体试件的模拟,采用近几何相似缩比(大小缩比而壁厚不变),缩比率在1/5～1时可以用非线性拟合表征损伤关系.

简介：目的：探究错距旋压仿真模型关键特性参数影响，改进建模方法，克服现有模型方案的缺陷，构建更准确、可靠和稳定的错距旋压有限元仿真模型。创新点：1．提供包括全模型、六面体离散、速度边界、全仿真、双精度和无干涉模型等在内的改进有限元模型构建方法；2．基于所构建的改进模型，完善错距值对成型过程影响的现有结论。方法1．通过能量、网格独立性和过程参数分析，验证改进有限元模型的可行性和可靠性：2．通过对比仿真和数据分析，获得边界模式、精度模式、时间截断和错距干涉对仿真结果的影响；3．通过仿真模拟，完善现有受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的错距值研究成果。结论：1．速度边界模式较之位移边界模式具有更高的计算精度和效率；2．时间截断不能确保扶取稳态结果，不利于计算的准确性和稳定性；3．截断误差对错距旋压成型结果影响显著，计算过程中应采用双精度模式；4．错距干涉严重干扰计算的正确性和可靠性，应在实验设计阶段予以排除：5．针对现有错距值研究受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的现状，基于改进模型，完善错距影响结论（表11）。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。