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20 个结果
  • 简介:目前超宽带中的高压开关技术正向着高气压、高重复频率、低抖动、快前沿方向发展。铁电体作为触发极具有触发电压低、抖动小的特点。用铁电体作为触发极开关在国际上已经受到人们越来越多的重视。为掌握铁电体作为触发极的工作性能,在充气和真空条件下开展了实验研究。

  • 标签: 触发开关 铁电体 实验 高重复频率 开关技术 触发电压
  • 简介:通过理论计算和数值模拟方法研究了“闪光二号”加速器多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响,得到了各个放电通道电流分布不均匀对开关电感的影响规律。理论计算和数值模拟结果均表明,随着多针水开关放电通道电流不均匀性的增加,开关电感显著提高。采用保角变换和构造拉格朗日函数的方法证明了当多针水开关所有放电通道电流一致时开关电感最小,得到了“闪光二号”加速器多针水开关电感最小值为27nH,最大值为153nH。

  • 标签: “闪光二号”加速器 多针水开关 电流不均匀性 电感
  • 简介:1.认识组成电路的基本元件,知道各元件在电路中的作用.2.知道用电器是将电能转化为其他形式的能的设备,能从能量的转化角度对常用的家用电器进行分类.

  • 标签: 家用电器 组成电路 基本元件 电能转化
  • 简介:介绍一种可通过腔体外调节旋钮调节开关间隙的高压氮气亚纳秒开关,能够在高工作电压、高重复频率下稳定运行,对输入脉冲的前后沿能同时进行锐化,结构紧凑,体积小,功率容量大。

  • 标签: 气体开关 亚纳秒 间隙 可调 高重复频率 高压氮气
  • 简介:分析了气体开关阴极表面初始电子的产生机制及其影响因素,给出开关电场是决定发射电流密度的关键因素。根据汤逊碰撞理论,讨论了开关电场、气压和温度对汤逊第一电离系数的影响。在温度和气压保持不变时,汤逊第一电离系数随开关电场的增大而增大。实验研究了开关输出脉冲前沿及其主要影响因素,研究结果表明,随着开关气压的增高,击穿电场增大,汤逊第一电离系数减小,输出脉冲前沿也减小;提高开关的击穿电场,是加速气体电离过程、陡化输出脉冲前沿的有效途径;在高电场条件下,碰撞电离已经不是气体电离的主要形式。

  • 标签: 气体开关 初始电子 气体电离 电场 脉冲前沿
  • 简介:自动温度控制电路是通过调控线路中电流的大小来实现的,对线路中电流的调控除用热敏电阻外还可以用双金属片来实现,下面以2008年全国初中应用物理知识竞赛复赛试题第四题为例,分析讨论如何利用双金属片实现电水壶的自动温度开关控制.

  • 标签: 温度开关 电水壶 原理 温度控制电路 双金属片 热敏电阻
  • 简介:介绍了一种用于直线脉冲变压器的轨道式多间隙气体开关的设计方法.利用Meek击穿判据计算了单间隙自击穿电压,根据单间隙自击穿电压,利用概率分析方法预测了多间隙开关的自击穿电压.实验结果表明,自击穿电压值与计算值一致;开关自击穿电压的相对标准偏差约1.5%,在60kV触发电压和48%~74%欠压比下,开关抖动为0.9~2.6nS;由该开关组成的FLTD回路电感约290nH.

  • 标签: 直线脉冲变压器 气体开关 自击穿 闭合抖动 电感
  • 简介:本文介绍一个实用的晶体管开关电路(如图1),用它能够很准确地测定出电容和介电常数。

  • 标签: 晶体管 介电常数
  • 简介:随着功率半导体器件的飞速发展,采用功率半导体器件串联和并联来研制高电压、高功率的固态开关已经成为了当今脉冲功率的发展方向之一。采用功率半导体研制的高压、大电流开关基本上具有理想的开关性能,在雷达发射机、射频加速器、癌症治疗、材料表面处理、食品非热等离子体处理和环境保护等领域都具有很好的应用前景。

  • 标签: 固态开关 开关技术 应用 功率半导体器件 科研 材料表面处理
  • 简介:提出了一种可用于微秒脉冲电压下的2MV电容耦合自触发开关模式,该开关具有结构简单、高可靠性等特点。通过电场分布计算及电路计算得到开关关键绝缘参数和电路参数。计算结果表明,设计触发间隙电压为主间隙电压的1.21%,该开关主间隙场不均匀系数为1.64,开关在0.7MPa的SF,;气体中工作电压为2.27MV。

  • 标签: 脉冲气体开关 自触发开关 电场分布 电容耦合 脉冲功率技术
  • 简介:为高功率脉冲功率装置设计了4MV同轴-三平板型水介质自击穿开关作为脉冲输出开关。脉冲输出开关指在脉冲功率装置中脉冲形成线输出端的开关,它是脉冲形成线和传输线的连接部件,对传输电脉冲进行二次压缩。脉冲输出开关常常是自击穿开关,由于其前面的主开关对Marx发生器输出电脉冲进行了初步压缩,脉冲输出开关的输入脉冲前沿上升较快,故脉冲输出开关常常是多通道开关

  • 标签: 主开关 装置设计 水介质 平板型 击穿 同轴
  • 简介:报道了波长可调谐增益开关中红外2.8μm脉冲光纤激光器。采用脉冲975nm半导体激光器泵浦高掺Er:ZBLAN双包层光纤,以闪耀光栅为谐振腔反馈元件,获得了波长可调谐增益开关中红外脉冲光纤激光输出。激光器工作频率为1~10kHz,波长调谐范围为2.703-2.819μm。在泵浦源重频10kHz条件下,激光器最大平均功率为110mw,最小脉宽为661.2ns,峰值功率为16.5W,斜率效率达28.6%。

  • 标签: 中红外 增益开关 可调谐 光纤激光器 掺铒氟化物光纤
  • 简介:将电路模拟软件PSpice中的电压控制开关模型和自击穿开关模型结合,提出了一种FLTD模块气体开关同步放电分散性的电路模拟方法,利用此方法构建了14支路并联FLTD模块电路模型,电路模拟结果与实验结果吻合,验证了该方法的有效性。针对采用80nF储能电容设计的20支路并联FLTD模块,利用该方法分析了模块支路开关放电分散性对输出电流峰值和前沿的影响。结果表明,输出电流峰值随着开关分散性的增加而减小,输出电流前沿随着开关分散性的增加而增加。与理想状态相比,当开关抖动为5ns时,电流峰值降低3%,电流上升沿增加约10%,电流峰值和上升沿的标准偏差分别为14kA和1ns;当开关抖动10ns时,电流峰值降低10%,上升沿增加约20%,电流峰值和上升沿的标准偏差分别为24kA和2ns。气体火花开关抖动小于5ns时,对模块输出影响较小,可满足模块同步放电要求。

  • 标签: 直线型变压器驱动源 开关放电分散性 电路模拟 多间隙串联气体开关
  • 简介:搭建了一套基于铥钬共掺光纤的激光放大系统,包含1个2μm增益开关主振荡器和一级铥钬共掺光纤放大器。获得了平均功率大于300mw的2txm脉冲输出,放大器平均功率增益达11dB,放大斜率效率达30%,这些性能指标与双包层掺铥光纤放大器相当。输出脉冲重频在40kHz时,最高脉冲能量为7.27μJ,脉宽88ns,对应的峰值功率为82.6W。放大过程中,激光光谱宽度小于0.3nm,边模抑制比大于35dB。

  • 标签: 铥钬共掺光纤 增益开关 光纤放大器
  • 简介:研制了一种新型重复频率兆伏级多级多通道开关,该开关为准均匀场结构,采用9组辐射状电极,每组电极分别安装在各自的环状母盘上,母盘以一定间隔串联固定在开关阴阳极间隙轴向的绝缘杆上。实验结果表明:在无吹气条件下,该开关可以在电压1.1-1.5MV、峰值电流15kA和重频50Hz下稳定运行,击穿抖动小于10ns,在平板二极管负载上输出脉冲前沿小于10ns。开关结构简单,无需使用吹气系统,可形成多个火花通道。

  • 标签: 多级多通道开关 辐射状电极 重复频率 无吹气
  • 简介:对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明,在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关;当漏极电压小于200V时,器件的关态漏电流明显增加,表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽,但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化,说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

  • 标签: 氮化镓功率器件 增强型 栅注入晶体管 GAN 位移损伤效应
  • 简介:对基于磁开关Marx发生器的电路结构进行了改造,设计了一种能输出方波脉冲,且结构紧凑、原理简单的电路。对设计的这种输出功率达10GW的近方波Marx发生器进行了模拟研究。结果表明,所设计的脉冲发生器输出脉冲电压接近1MV,前沿约为20ns,半高宽为70ns,发生器全系统无需气体开关。从波形来看,输出脉冲平顶波动小于10%,能够满足实际应用需求。

  • 标签: 磁开关 固态 MARX发生器 方波脉冲 可饱和脉冲变压器
  • 简介:激光触发气体间隙放电主要有3个发展阶段:气体分子吸收激光而被激发和电离;其次,自由电子和其它带电粒子在电场作用下发生漂移运动,它们与中性粒子间引起碰撞,并产生电离、俘获和复合等化学反应过程;漂移运动的电子和其它带电粒子受到电场的欧姆加热,再经过碰撞作用,气体温度升高,逐渐发生热电离。一般,气体温度接近约10^4K,它的导电率迅速增加,导致开关闭合。

  • 标签: 气体开关 激光触发 数值模拟 混合 化学反应过程 漂移运动