简介：基于热分析结果,对AM50-4%(Zn,Y)(Zn/Y摩尔比为6:1)合金设计并实施一种两步递进固溶处理。利用OM、XRD、SEM/EDS、TEM、拉伸实验和硬度实验研究固溶与时效处理对AM50-4%(Zn,Y)合金组织与力学性能的影响。结果表明:与一步固溶处理相比,两步递进固溶处理能够使Φ和β相充分溶解于基体,获得更高的溶质过饱和度,从而一定程度上增强合金在后续时效处理中的弥散强化效果。在180℃进行时效处理时,Φ相析出对合金综合力学性能的影响要大于β相。经两步递进固溶处理(345℃,16h+375℃,6h)的AM50.4%(Zn,Y)合金在时效处理(180℃,12h)后获得峰时效强度。

简介：近年来,随着市场的更新换代,LED汽车大灯越来越普及。其中汽车大灯用铝基板对可靠性的要求,远高于普通照明用铝基覆铜板,为此我司开发了一款汽车用高可靠型铝基覆铜板,这款铝基CCL的导热系数为3.0W/m·K,玻璃化转变温度(Tg)为155℃,且分别经过2000h长期老化试验(150℃高温老化、-40~150℃冷热冲击、85℃/85%RH湿热老化)、168h加速老化试验(121℃/2atm/100%RH高压锅蒸煮)后,仍保持优异的综合性能。

简介：建立一种有效修正相场模型来模拟小平面枝晶生长形貌。通过该模型分别研究网格大小、各向异性值、过饱和度及不同重对称性对小平面枝晶生长形貌的影响。结果表明,随着时间的推移,晶核生长为六重对称性的小平面形貌。当网格尺寸大于640×640时,小平面形貌不受模拟网格大小的影响。随着各向异性值的增加,小平面枝晶的尖端速度增大到一个饱和值后再逐渐降小。随着过饱和度的增加,晶核从一个圆形演化为发达的小平面枝晶形貌。根据Wulff理论和对应的小平面对称性模拟形貌图,证明所提出的模型是有效的,并能够拓展到任意重对称性的晶核生长的模拟。

简介：2017年12月新颁布的GB/T13555-2017《挠性印制电路用聚酰亚胺薄膜覆铜板》是挠性覆铜板行业的一份重要的基础标准。本文对它的编制过程、实用意义、修订及增添内容作了解读。

简介：为提高镁合金的耐蚀性,通过微弧氧化和硬脂酸乙醇溶液疏水处理两步法在镁合金表面制备超疏水涂层.考察微弧氧化电压、频率和时间对疏水处理试样接触角的影响.结果表明：随着微弧氧化电压、频率和时间的增加,疏水处理试样的接触角均先增大后减小,分别在350V、1000Hz和5min时获得最大值.最佳超疏水涂层主要由MgO和Mg2SiO4相组成,其表面微孔直径为～900nm,厚度为～6.86μm,接触角高达156.96°.超疏水试样的腐蚀电流密度较基体降低3个数量级,而氢气析出量较基体降低94.77%.

简介：采用EBSD技术研究Al-（Mn）-Fe-Si合金等温退火后的再结晶晶粒结构。统计研究表明,在无沉淀反应条件下,在大于临界直径（约1.1μm）的颗粒相周围形成P取向（{011}？566？）晶粒的频率约为2%。晶粒总数量密度与P、立方取向（{001}？100？）晶粒的数量成线性关系。再结晶晶粒的总数量密度及典型取向（P、ND旋转立方{001}？310？、立方）晶粒的数量密度随轧制应变量增加而增加,并服从指数规律。

简介：通过等温热处理调整铸态Al-17Si-5Cu(AR)合金中Si(尤其是共晶Si)颗粒的形貌以提高合金的耐磨性能。通过销-盘式摩擦机对比研究热处理后的合金(HT合金)和AR合金的磨损行为,并采用扫描电镜观察磨损表面。结果表明,HT合金的显微组织发生显著变化,相应地,HT合金较AR合金的硬度值增大。与AR合金相比,HF合金在所有载荷下总磨损率明显降低,耐磨性能明显改善。热处理后,共晶Si颗粒由针/棒状变为球形/等轴状(长径比接近1),与基体形成良好结合,在磨损过程中保持完整且更加坚硬,为材料提供良好的耐磨性。另外,HT合金硬度的增加进一步提高合金的耐磨性。因此,完整且较硬的Si颗粒对磨损表面的作用以及材料整体硬度的提高导致HT合金在所有载荷下的磨损行为均优于AR合金。

简介：基于化学镀Ni工艺,研究Sn-3.5Ag-0.5Cu合金在Ni-P(-SiC)镀层/SiCp/Al基体上的润湿行为,分析镀层的显微结构和Sn-3.5Ag-0.5Cu/Ni-P(-SiC)镀层/SiCp/Al体系的润湿和界面行为。结果表明,SiC颗粒均匀地分布在镀层中,且Ni-P(-SiC)镀层与SiCp/Al复合材料之间没有界面反应。Sn-3.5Ag-0.5Cu对Ni-P、Ni-P-3SiC、Ni-P-6SiC和Ni-P-9SiC镀层/SiCp/Al基体对应的最终接触角分别为~19°、29°、43°和113°。在Sn-3.5Ag-0.5Cu/Ni-P-(0,3,6)SiC镀层/SiCp/Al界面处形成含有Cu、Ni、Sn和P的反应层,其主要包含Cu-Ni-Sn和Ni-Sn-P相。此外,熔融的Sn-Ag-Cu合金可以通过Ni-P/SiC界面渗入Ni-P(-SiC)复合镀层与SiCp/Al基体接触。