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Si代P点缺陷对KDP晶体光学质量的影响

作者：高慧
学科：文化科学 > 教育学
创建时间：2012-02-12
出处：《齐鲁师范学院学报》 2012年第2期

简介：通过基于第一性原理的CASTEP计算发现，KDP晶体中Si代P点缺陷的形成能约是12．18eV，比较难在晶体中形成。模拟了此种点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度，发现Si替代P后，晶体带隙宽度几乎没有变化，说明这种点缺陷不会引起晶体对光的额外吸收。Si替代P点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变，对晶体整体结构影响不大。
标签： KDP晶体 SI 光吸收光学质量

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