简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。
最新超结功率HOSFET使大功率硬开关拓扑电路的使用成为可能
