简介:摘 要: 针对当前带隙基准电压源无法通过数字信号调节电压的问题,在以共源共栅电流镜为主体结构的带隙基准电压源下加入了TRIM信号,设计了一款基准电压可调的带隙基准电压源。在 TSMC 65 nm CMOS 工艺条件下,对该带隙基准电压源进行 Spectre 仿真验证。结果表明: 带隙基准电压源的预设电压为1.25V,设实际在1.246V,环路稳定性PSRR为31.07,工作时功耗Active Current为32.7uA,建立时间Start Up Time为367.226ns,电压在1.185V到1.406V可调。该带隙基准电压源同时具有输出基准电压可调的特性,具有很高的实用意义。
简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。