简介：为了满足炼钢碳化硅类脱氧剂中碳化硅的分析，在参照国家标准方法的基础上，通过烧失率、助熔剂选择、线性化考核及精密度和准确度等条件试验，建立了红外吸收法测定炼钢碳化硅类脱氧剂中的碳化硅的分析方法。方法的回收率大于98％，相对标准偏差为0．5％～0．7％，准确度高，误差小，实用性强。

简介：采用固一液一固（SLS）生长机制，研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火，退火温度为1050℃和1080℃，退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化，分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果，并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：通过对难于处理的低温低浊水进行投加助凝剂改性活化硅酸进行试验研究，提出了改性活化硅酸使用中的最佳粘度、最佳投加量等具体参数；同时在试验中了解到改性活化硅酸活化时间短，保存时间长。助凝效果好，投药量少等最优性能。

简介：以三聚氰胺为前驱体，在氮气保护下进行高温热处理，借助X射线衍射、红外光谱、元素分析手段对产物进行表征。结果表明，在较低的400℃进行热处理时，前驱体中的N、H原子即开始选出，产物中有层状g—csN4的衍射峰出现，但是前驱体分解不完全。在500℃及高于500℃进行热处理时，可制备出纯态的g-C3N4，并且随着热处理温度的逐渐升高，所得产物的氮、碳原予比及其结构与理想层状石墨相g-C3N4差异逐渐减小。

简介：通过锻烧法除去结构导向剂制备笼型有序介孔二氧化硅，采用SEM、TEM／HRTEM等表征手段对各种材料进行了表征，说明水热晶化温度对材料的介观形貌影响起决定性作用，而水热晶化温度在150℃时所得介孔材料Si-150结构规则排列的笼型介孔孔道是一种理想的纳米反应环境。用透射电镜的表征手段证明了该种材料为三维笼型结构。

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：将NH4HCO3加入到10g706硅橡胶粘合剂中,添加气相SiO2作为补强剂,制备氨气缓释材料。研究气相SiO2的用量（0～2.5g）和NH4HCO3的用量（0.1～1.0g）、温度（20～40℃）及物料捏合时间对氨气释放速率的影响,采用扫描电镜（SEM）观察缓释材料的显微形貌。结果表明,当室温硫化硅橡胶粘结剂为10g,气相SiO2加入量为2g、捏合时间为1h时,材料的缓释性能优异。气相SiO2加入量越大,则材料硬度越高、变形越困难,缓释性能越好,氨气从材料中释放的速率也小。NH4HCO3加入量越小,氨气释放的速率越慢,缓释效果越好;温度越低,材料缓释效果越好。