简介：由于碳化硼陶瓷具有强度高，耐高温等诸多优点，因此碳化硼陶瓷微球可实现微球的高压充气，但碳化硼微球不利用碳化硼陶瓷材料直接发泡成球，故采用先驱体聚合物转化法制备出聚合物微球，再陶瓷化得到碳化硼陶瓷微球。聚间亚苯基硼是一种较好的制备碳化硼陶瓷的先驱体聚合物，而制备聚合物微球时先驱体聚合物需要达到一定的分子量。利用改进的有机金属路线合成得到了较高产率的大分子有机硼烷．聚间亚苯基硼。

简介：通过分析浆料分散性和粘度等因素，研究分散剂和粘结剂等对碳化硅晶须浆料流变行为的影响，确定合适的浆料制备工艺参数。结果表明：选择合适剂量的分散剂（2wt%）能够有效减弱晶须之间的吸引力，减少晶须团簇，提高晶须分散性。同时选择3wt%的粘结剂能够得到粘度适宜的浆料。优化工艺参数，最终获得分散性及稳定性较好且适于流延的晶须浆料。

简介：通过对#20低碳钢和5CrNiMo模具钢渗硼后进行激光重熔，分析渗硼剂成份对渗硼层深度和硬度、激光工艺方案对重熔层深度和微观硬度的影响，研究了重熔后表面渗硼层组织结构和形态、合金元素的分布、表面脆性、抗热冲击性能、耐磨性能的变化趋势和原因。

简介：中红外激光（3-5μm）在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用,特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研究中,由于周期量级中红外飞秒激光能获得更高截止能量的谐波阶次,有望获得更短的阿秒脉冲和更高的时间分辨率,因此倍受人们的青睐。

简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。