简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiCJFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。
简介:摘要目的观察氧化锆全瓷不同边缘位置对牙周组织的影响。方法选择行氧化锆全瓷修复后6个月的临床病例30例,按冠边缘位置分为冠边缘平齐龈缘组(A组)15例,冠边缘位于龈下0.5~1mm组(B组)15例,以A组和B组对侧或对颌健康同名牙做对照组。记录试验组和对照组牙龈指数(GI)、探诊深度(PD),并采用滤纸条法收集龈沟液,测定龈沟液量。结果A组在临床牙周指标(GI、PD)与其对照组无统计学差异(P>0.05),而GCF量变化上有统计学差异(P<0.05)。B组各项指标与其对照组比较均有统计学差异(P<0.05)。A组与B组之间比较各指标也均有统计学差异(P<0.05)。结论不同牙冠边缘位置对牙周组织的影响不同。与对照组健康牙比较,冠边缘平龈边缘对牙周组织健康影响较小,龈下边缘较平龈边缘对牙周组织的影响大。
简介:摘要目的探讨不同材料的核桩对Cercon氧化锆全瓷色彩的影响。方法选取我院口腔科收治的40例牙体缺损修复患者,随机分为两组,其中观察组22例,对照组18例;观察组采用金属合金镀金镍铬合金桩核与Cercon氧化锆全瓷进行修复,对照组采用非贵金属合金的树脂桩核与Cercon氧化锆全瓷修复,对比两组的修复效果。结果随访6个月发现,观察组的修复优良率为90.91%;对照组的修复优良率为77.78%,组间差异有统计学意义(P<0.05)。结论Cercon氧化锆全瓷与金属类材料进行应用能够有着更好的修复效果,且满意度高,值得进一步推广。
简介:目的:以表面抛光、喷砂为对照,研究表面多孔涂层对氧化锆与饰面瓷界面剪切结合强度的影响。方法:按照Schmitz-Schulmeyer法测量氧化锆与饰面瓷的剪切结合强度。制作氧化锆基底样本60个(IO×5×5mm),分为三组(抛光组:耐水碳化硅砂纸逐级抛光至1200#;喷砂组:1lOμmA1203颗粒在3bars的压力下喷砂10sec,距离10mm;涂层组:质量分数为55wt%的氧化锆粉浆涂塑氧化锆表面,致密烧结),每组20个。表面烧结饰面瓷(5×3×3mm)。每组取10个样本,5℃/55℃水域中交替循环5000次。万能材料试验机测试剪切结合强度,加载速度0.5mm/min。对测试结果进行双因素方差分析(α=0.05)。SEM观察样本断裂模式。结果:涂层组剪切结合强度与抛光组和喷砂组差异均有统计学意义(P〈0.05);喷砂组与抛光组间差异无统计学意义(P〉0.05);各组温度循环后剪切结合强度差异均无统计学意义(P〉0.05)。SEM观察显示,涂层组样本以饰面瓷的内聚断裂为主;抛光组和喷砂组以界面断裂为主。结论:表面多孔涂层可显著提高氧化锆与饰面瓷的剪切结合强度,并能耐受短期的人工老化,而结合强度无明显下降。
简介:湖北省蕲春县烈马咀花岗岩主要为黑云母二长花岗岩,由黑云母、钾长石、斜长石和石英等矿物组成,属于梅川杂岩体主岩体乱泥滩单元的组成部分。LA—ICP—MS锆石U—Pb定年结果显示,其U—Pb谐和年龄为123±0.85Ma(N=15,MSWD=0.21),206^Pb/^238U表面年龄加权平均值为123±1Ma(N=15,MSWD=0.21),略晚于乱泥滩主岩体侵位年龄(131Ma)和大别山地区晚中生代岩浆活动峰期年龄(130Ma)。烈马咀花岗岩主-微量元素分析显示,主要元素以高SiO2(74.76%~77.64%)、富碱(K2O+Na2O=7.18%~7.96%)和过铝质(Al2O3=12.73%~14.06%)为特征;微量元素以富集大离子亲石元素(如1Rb和Pb等)和亏损高场强元素(如Nb、Zr、P和Ti等)为特征;稀土元素具有轻稀土富集和Eu负异常(δEu=0.41~0.65)特征。烈马咀花岗岩成岩年龄和岩石地球化学特征显示其成因与大别山造山带内晚中生代花岗岩类似,均来自古老下地壳物质的部分熔融,形成于晚中生代整个中国东部岩石圈伸展减薄的构造背景下。
简介:以草酸为络合剂,采用溶胶–凝胶法制备一系列氧化镁稳定氧化锆粉末Zr1xMgxO2x(0.04≤x≤0.10),利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等分析技术对粉末进行表征。结果表明,掺杂氧化镁后,低温350~450℃煅烧产物晶型为四方相(t-ZrO2),随煅烧温度升高,t-ZrO2逐渐向m-ZrO2转变。在550℃下煅烧时,少部分四方相转变为单斜相(m-ZrO2),转变比例随掺杂量增加而降低。Mg2+取代Zr4+产生氧缺陷是ZrO2晶体结构稳定的主要因素。随煅烧温度从350℃升高到650℃,Zr0.92Mg0.08O1.92粉末中t-ZrO2晶粒尺寸从42nm长大到100nm;随Mg掺杂量从0.04增加到0.10,t-ZrO2晶粒尺寸从110nm减小到97.8nm,而纳米尺寸晶粒有利于t-ZrO2稳定。