简介:摘要:从上个世纪80年代起,薄膜晶体管(TFT) 的制备工艺、特性表征和模型建构等研究基本都是基于单栅器件进行的,所以单栅的TFT器件的工艺制备、器件结构解析模型等都研究的相对比较成熟。然而,近几年,一种具有发展潜力的双栅结构TFT引起了世界普遍的关注。双栅结构的TFT具有更强的电流驱动能力,更低的漏电流和较好的亚阈值特性,可以抑制短沟道效应等优点,逐渐成为颇具有发展前景的新型器件结构。本论文在氧化锌 (ZnO) 的性质和薄膜的制备方面做一些讨论,并对常规TFT的结构进行分析,探讨了双栅结构的ZnO薄膜晶体管的工作模式。 关键词:氧化锌,双栅结构,工作模式
简介:摘要:在电子工业迅猛发展的背景下,金属化薄膜电容器作为核心组件的性能优化显得尤为重要。本研究基于多层喷金技术,针对金属化薄膜电容器进行了结构设计创新,旨在降低电容器损耗,提高电容器的耐电流能力及其在高频应用中的表现。同时,环境适应性测试与长期稳定性评价确保了电容器在不同工作条件下的可靠性。研究预期达到的结果为电容器性能的显著提升,进而推动电容器技术的创新发展和应用拓展。
简介:摘要:采用化学浴沉积法在以硫酸锌(ZnSO4·7H2O)和自制的硒代硫酸钠(NaSeSO3)作为Zn2+源和Se2-源的化学溶液体系中制备了ZnSe纳米晶薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和分光光度计等测试方法,研究了不同的Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶薄膜的表面形貌、晶体结构、光学透过率和禁带宽度等物理和光学特性的影响。结果表明,反应液中Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶颗粒尺寸及致密性影响较大,当nZn/nSe=1:4时制备的ZnSe薄膜有较好的致密性和均匀性。不同Zn/Se物质的量比条件下均制备出(111)取向的立方晶型ZnSe纳米晶薄膜,光学禁带宽度为3.05-3.13eV。当nZn/nSe≤1:4时制备的ZnSe薄膜在450-800 nm波段透过率达75%以上。
简介:摘要:针对传统粉末压片工艺的不足和热电池微型化小型化的发展需要,将薄膜制备技术引入热电池正极极片制备工艺。热电池电机薄膜化有利于缩小电池体积,提高比能量。本文综述了热电池正极薄膜组件的制备方法及应用现状,该工艺为热电池自动化、规模化生产提供了可能性。