简介：QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：

简介：场效应晶体管具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点，在前置电压放大，阻抗变换电路，振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响，手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应管的身影。而在实际维修中由于场效应管损坏引起的故障并不少见，因此掌握场效应管的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

简介：有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。

简介：摘要目的本研究旨在开发一种高灵敏且简便的检测方法，实现对病毒核酸的快速检测。方法建立了一种基于石墨烯场效应晶体管的新型核酸检测方法。通过在石墨烯传感界面锚定化学小分子，然后修饰上DNA四面体探针，实现了对病毒核酸的检测。通过测试传感器件的转移特性曲线，可将探针与目标物杂交结合的生物信号转化为器件的电学信号，并通过晶体管器件的信号放大作用，实现了对目标分子的高灵敏检测。结果靶向新型冠状病毒(2019 novel coronavirus, 2019-nCoV)RNA的ORF1ab序列的DNA四面体探针与目标RNA通过碱基互补配对原则进行杂交结合。测试了唾液中不同浓度条件的2019-nCoV的核酸模拟样本，观察到随着目标核酸的浓度增加，晶体管传感器件的狄拉克点产生规律性的向左偏移。在100 μl的待测液，传感器件的最低检测浓度可达0.05拷贝/μl，且响应时间低至5 min。结论本研究开发了一种基于石墨烯场效应晶体管检测方法，极大地提高了对病毒核酸的检测灵敏度并缩短了检测时间。

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简介：摘要:在现有矩形栅极U形沟道场效应晶体管与深肖特基势垒场效应晶体管的基础上，提出一种高集成双矩形栅极U形沟道双向隧穿场晶体管。新设计利用更高的肖特基势垒来最小化热电子发射电流，并采用矩形主栅极产生强大的带带隧穿电流作为正向电流的传导机制；引入一个矩形辅助栅极，以有效阻止反向偏置漏电流。新设计可在不使用掺杂工艺的情况下，获得更低的亚阈值摆幅、更小的反向漏电流、更高的Ion/Ioff比和更高的集成度，在更小的芯片面积上实现更优越的性能。

简介：本文通过研究晶体管、场效应管电路符号,揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义.并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符号.期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助.

简介：摘要本文回顾了HfO2及其MOS结构的辐照损伤效应研究进展，介绍了HfO2/Si系统的本征特性及其在辐照作用下的陷阱电荷特性及物理化学特性研究的主要成果。

简介：<正>在2012年12月于美国举行的"IEDM2012"上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受关注。氧化物半导体具有可在低温下制备、性能高且透明的特点,正在以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化,夏普于2012年针对液晶面板开始量产

简介：摘要稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性，并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文论述了氧化物稀磁半导体的研究进展。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。

简介：摘要氧化物稀磁半导体材料是制备电子自旋器件的主要材料，在自旋电子学相关领域中具有非常广阔的应用前景。本文分析了氧化物稀磁半导体的磁性研究及进展。

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简介：<正>氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为很难形成p型晶体管,以前推出的In-Ga-Zn-O晶体管全是n型。

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简介：中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作，于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件，这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。

简介：摘要：在航天器、精密电子器件、天文望远镜镜面等高精尖技术领域，工作温度的波动带来的材料热膨胀急剧变化会极大影响精确度和使用寿命。解决这一问题的有效办法是：设计宽温区零/低热膨胀单相化合物。但是，此类化合物比较少，相关物理机制不清晰。因此本文基于框架结构灵活性探索新的宽温区低热膨胀材料，研究其热膨胀机理并表征了其它物理性能。采用固相烧结法制备出单相零/低热膨胀材料Ta2WO8，其在3001000 K的宽温区内表现出零/低热膨胀特性（αl = -1.69×10 K ），并且没有吸水性和相变。Ta2WO8是正交结构，bc平面内TaO7十面体和周围5个TaO6八面体通过共边连接，沿a轴方向氧原子连接2个相同Ta原子形成三维框架结构。温度升高时，Ta3O6八面体与周围多面体形成的菱形隧道具有较大的空间和柔性，氧原子的横向热振动更加明显，带动着Ta3-O9-Ta3键角剧烈收缩从而导致a轴产生负热膨胀，弥补了b轴和c轴的正热膨胀。变压拉曼表明，与Ta-O-Ta键中氧原子平动相关的低频晶格模具有负的格林艾森参数，和氧原子的横向振动共同作用导致了Ta2WO8在3001000 K宽温区的零/低热膨胀。紫外可见漫反射光谱测试和密度泛函理论计算都表明Ta2WO8具有半导体性质。

简介：日本产业技术综合研究所(产综研)电力能源研究部门开发成功晶状金属氧化物纳米多孔材料。这是在使用模板的传统合成方法中加入微量的玻璃相前驱体，通过高温烧结，控制金属氧化物的晶化而制成的。该材料有望用于触媒支撑、吸附剂、光触媒、色素增感型太阳电池、传感器、能量存储器件等广泛领域。

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