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  • 简介:功率半导体器件(亦称电力电子器件)、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的"新一代信息产业"的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

  • 标签: 功率半导体器件 基础 半导体集成电路 电力电子器件 信息产业 新兴产业
  • 简介:摘要:在我国经济与社会快速发展的今天,我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步,而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合,正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究,希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展,早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

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  • 作者: 王玉桃
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  • 创建时间:2024-03-06
  • 机构:常州银河世纪微电子股份有限公司 江苏常州 213022
  • 简介:摘要:大功率半导体器件以其高效、节能、稳定的特点,被广泛应用于工业控制、电力传输、新能源领域以及电动车、轨道交通等领域,其在提高能源利用率、改善能源结构、推动电力电子技术的应用与发展等方面,发挥着不可替代的作用。

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  • 简介:摘要:统计过程控制(SPC)是应用数理统计分析来监控生产过程,提升过程能力的工具,主要强调过程的预防,适用于各行业的质量控制过程。本文简述SPC在VDMOS功率器件制造过程中的应用,以对生产过程中发现的问题提出预警,及时解决,恢复过程稳定,从而提高和控制产品质量。

  • 标签: SPC 过程控制 功率器件
  • 简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

  • 标签: 半导体 禁带 半导体照明 功率电子器件
  • 简介:摘要在我国经济与社会快速发展的今天,我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步,而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合,正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究,希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展,早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。

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  • 简介:摘要:随着经济社会蓬勃发展,我国电力电子领域也获得了极大的发展机遇,智能功率集成电路及综合控制技术的进步,提高了电力技术在各行各业的应用效率,加之功率半导体器件的结合使用,增强了智能功率集成电路的性能,降低其运行条件,进一步起到节约生产成本、实现规模发展的作用。基于此,本文从功率半导体器件与智能功率集成电路概述,阐述了智能功率集成电路中功率半导体器件的实际应用,以期为我国后续电力技术的创新升级打下坚实基础。

  • 标签: 智能功率集成电路 功率半导体器件 探讨
  • 简介:摘要:大功率半导体器件能够提供高效率、高可靠性和高性能的能源控制解决方案,对于实现绿色能源、节能减排以及推动电动化、智能化进程具有至关重要的意义。随着电动汽车、可再生能源和智能电网等领域的迅速发展,对大功率半导体器件的需求也日益增长,因此大功率半导体器件的发展不仅关乎科技创新,更关乎能源革命、产业升级和社会发展。本文将探讨大功率半导体器件的发展现状、关键技术挑战以及未来展望,以期为相关领域的研究人员、工程师和决策者提供有益的参考和启发。

  • 标签: 大功率半导体器件 发展 展望
  • 简介:国际功率半导体器件功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs.,缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如,2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23%,北美25%,亚洲14%,日本38%。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行,每年依序更换,

  • 标签: 功率半导体器件 功率集成电路 可靠性 “国际功率半导体器件与功率集成电路会议”
  • 简介:本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上,结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势,最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。

  • 标签: SIC 功率 半导体器件
  • 简介:功率半导体器件是电力电子技术中用来进行高效电能形态变换,功率控制与处理,以及实现能量调节的新技术核心器件,尤其是高效额定电压,大电流,低损耗和高速开关的全控器件,其技术含量高,成本高,因而,使用过程中,功率半导体器件的过压和过流保护问题显得十分突出,本文就这一问题进行详细讨论。

  • 标签: 功率半导体 过压保护 过流保护
  • 简介:摘要电子技术不断发展,功率半导体以及器件变化对电网管理有一定的影响。结合实际功率变化以及器件类型等,要求重视发电、输电和变电控制等,由于不同网站形式不同,结合功率参数以及技术种类等,需要提前实施功率参数调整。本次研究中以电网建设要求为基础,对功率半导体器件的具体应用分析。

  • 标签: 功率半导体 电网管理 应用趋势
  • 简介:摘要产品的可靠性是衡量质量的重要指标,是能否保持优良性能的关键因素。若产品出现不可靠问题,技术性能就无法得到发挥,那么可靠性也就毫无保障。本文介绍了大功率半导体器件可靠性的概念、评价、失效分析及可靠性筛选。

  • 标签: 大功率 半导体 元器件 可靠性
  • 简介:摘要当前,电子信息技术领域在世界范围内得到了迅速的发展,其中,智能功率集成电路的综合控制能力在这一过程中起到了积极的促进作用。而功率半导体器件以其多样化的功能和稳定的物理性质与智能功率集成电路相结合,在电力电子技术领域发挥了重要的价值。笔者在概况介绍功率半导体器件与智能功率集成电路的基础上,就功率半导体器件在智能功率集成电路中的应用进行了具体的剖析,以求对进一步发挥功率半导体器件在电力电子技术发展中的作用,推动智能技术与绿色经济的发展。

  • 标签: 电子信息技术 功率半导体 器件 智能功率 集成电路
  • 简介:ISOPLUSi4^TM系列功率半导体器件具有非常适合应用于开关模式功率电源(SMPS)的特征:器件的集成度高,在应用于高开关频率时工作性能可进行优化,一个集成的隔离有助于降低装配工作的难度,如果要求应用于高压场合可通过加大爬电距离和穿透深度来完美地实现。本文对这类元件使用的技术进行深入的介绍,并针对SMPS上的应用来论述它们的特性。

  • 标签: 功率半导体器件 功率电源 集成度 应用 SMPS 开关模式
  • 简介:<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

  • 标签: 氮化镓 导通电阻 器件技术 增值应用 硅晶圆 基功
  • 简介:【摘要】随着电子信息技术的发展,半导体器件经历三代演变。半导体器件产业是衡量国家综合国力的重要产业,测试是贯穿于生产应用的产业。准确测量功率半导体器件特性参数是相应研究工作的关键。高效准确提取功率器件温度特性对电力电子系统可靠性研究具有重要意义,结合现有功率半导体器件热阻抗测试国际标准,提出新型系统控制策略,通过使用DSP控制器实现高效热阻抗测量,搭建实验样机验证控制方法有效性。

  • 标签: 功率半导体器件 热阻抗 自动化测试 控制策略
  • 简介:摘 要:功率器件VDMOS电参数直接影响着器件工作性能,其电参数失效模式众多,其中源漏漏电IDSS最为常见,且其失效原因复杂,同时也最难解决。本文就其中一种渐变型IDSS失效进行分析总结,并优化在线工艺,提升良率。

  • 标签: VDMOS IDSS BVDSS P-Body推阱工艺 良率提升
  • 简介:摘要:逐刻蚀工艺是半导体器件制造中重要的加工工艺之一,其主要作用是通过在薄膜之间进行刻蚀,来形成复杂的三维结构。本文首先介绍了逐刻蚀工艺的分类,然后详细讨论了其在不同类型的半导体器件中的应用,包括CMOS器件、MEMS器件和光学器件等。同时,本文还探讨了逐刻蚀工艺在半导体器件制造中所面临的挑战和解决方案,并提出了未来逐刻蚀工艺的发展方向。

  • 标签: 逐层刻蚀工艺 半导体器件 CMOS器件 MEMS器件 光学器件