简介：

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简介：“供应链可见性”在供应链管理世界中并不只是一个时髦之词，它已经成为了商业世界中的必须执行之词。市场迫使各家企业在产品交付和消费者需求之间建立起更加紧密的联系，在企业满足需求时要将各种浪费和延误消除出流程之外。它们不得不安排合适的人员、流程和技术来支持这种战略。在不断应对市场和环境的变化中持续追求满足消费者需求的目标。

简介：对Al-Fe-Mg-Si和Al-Fe-Mn-Si2个四元系进行热力学优化评估,并对这2个四元系富Al角的零变量平衡反应温度和液相成分进行了计算.采用光学显微镜,扫描电镜和电子探针技术,系统研究了多组元Al基合金Al356.1定向凝固的显微组织及显微偏析.计算模拟了3个多组元Al合金(Al356.1,Al356.2,Al518.2)的平衡凝固和非平衡凝固的显微组织及显微偏析.模型计算结果与实测数据很吻合,证实了所建立的多组元体系热力学及动力学数据库的可靠性.

简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.

简介：利用Gaussian-94计算程序中的B3LYP方法,在6-311+G(2d)6d基组下,对Si5,Si5H3,Si5H6,Si5Li3和Si5Na3原子簇的几何结构进行优化和频率计算.结果表明,Si5原子簇中最稳定的具有D3h对称性的结构中,位于同一平面上的3个Si原子确实具有剩余的成键能力,可以与3个H,Li,Na原子和6个H原子形成稳定的化合物.研究还发现,虽然H,Li和Na都属同一主族,但它们与Si5原子簇中Si原子的键连方式却不同,而且它们的加入,对Si5原子簇的'三角双锥'结构也有不同的影响.

简介：ＣｕｒｉｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＦｅＳｉＢａｎｄＦｅＷＳｉＢＡｌｏｙｓＷａｎｇＬｉｎｇｌｉｎｇ，ＺｈａｏＬｉｈｕａ，ＨｕＷａｎｇｙｕ（王玲玲）（赵立华）（胡望宇））ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＨｕｎａｎＵｎ...

简介：研究Al-Mg-Si合金晶界组成相（Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si）间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n（Mg）/n（Si）〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

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简介：利用SOI衬底生长部分／完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件；这两种方法均可用于CMOS结构，也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道，可将沟道迁移率提高50％，从而提高了器件电流。SOI晶体管的好

简介：Aconductionchannelmodelispropsedtoexplainthehighconductivitypropertyofnc-Si:H.Detailedenergybanddiagramisdevelopedbasedontheanalysisandcalculation,andtheconductivityofthenc-Si:Hwasthenanalysedonthebasisofenergybandtheory.Itisassumedthattheconductivityofthenc-Si:Hstemsfromtwoparts:theconductanceoftheinterface,wherethetransportmechanismisidentifiedasathermal-assistedtunnelingprocess,andtheconductancealongthechannelaroundthegrain,whichmainlydeterminedthehighconductivityofthenc-Si:H.Theconductivityofnc-Si:Hiscalculatedandcomparedwiththeexperimentdata.Thetheoryisinagreementwiththeexperiment.

简介：在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得，在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加，蓝山峰起初被一座红山峰最后提高，然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了，并且最后被形成纳米硅与嵌入结构，它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。