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15 个结果
  • 简介:Highspinstatesintheodd-oddnucleus124Cshavebeeninvestigatedthroughthefusion-evaporationreaction116Sn(11B,3n)124Cswithabeamenergyof45MeV.Anewrotationalbandisestablishedandassignedasthehigh-kconfigurationofπg9/2[404]9/2+νh11/2[523]7/2.Somestructureslinkingtothisbandhavealsobeenobserved.Accordingtotheresultsoftheexcitationenergysystematics,thelowestlevelofthisbandisassignedas9,andthe8isomerbandheadhasnotbeenobserved.Anotherisomerwithahalflifeof6.3shasalsobeenobservedwithitsnewdecaypathsestablished.Itsexcitationenergyisraisedby79keV,butitsIπisnotchanged.

  • 标签: k结构 电子束能量 熔合蒸发反应 激发能量 高自旋态 系统分类
  • 简介:(CO+Cs)/Ru(101^-0)共吸附的体系中,CO分子由于受Cs原子强烈影响,分子轨道发生重新杂化组合。CO分子原来在清洁Ru(101^-0)表面上结合能位于7.5eV处相重叠的5σ和1π轨道对应谱峰分裂为两峰,结合能分别位于6.3和7.8eV处,其中6.3eV处的谱峰来自CO分子1π轨道的一支,它显示出该分子轨道沿衬底<0001>晶向的镜面反对称性。CO分子1π轨道的另一支和5σ轨道在结合能7.8eV处相重叠。

  • 标签: 同步辐射 CO Cs/Ru(101^-0)表面 共吸附 铯/钌 一氧化碳
  • 简介:用同步辐射角分辨紫外光电子谱对CO与Cs在Ru(1010)面上共吸附的研究结果表明:由于Cs的强烈影响,CO的分子轨道重新排列。对应清洁表面上CO分子的(5σ+1π)轨道的7.5eV谱峰分裂成两个,分别处于6.3和7.8eV,6.3eV谱峰关于一个垂直于Ru(1010)面面平行于<0001>晶向的镜像面反对称性。

  • 标签: ARUPS Cs/Ru(1010) CO 分子轨道 对称性 一氧化碳
  • 简介:LiNdP4O12(LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

  • 标签: LiNdP4O12晶体 生长缺陷 同步辐射X射线白光形貌术 助熔剂籽晶旋转法缺陷 包裹物 位错
  • 简介:Thetransportprocessof12CionsinwaterwasstudiedwithSRIMcodeandGeant4toolkit.TheSRIMresultsindicatethatthetransversediffusionof12Cionbeamcausesdistortionofenergydepositalongthebeamdirection.Thedistortionbecomesmorenotableasthetrans-versediffusionincreases.ThesimulationresultsofGeant4indicatethattheinfluenceofsecondaryfragmentsonenergydepositdistributionwouldbethemainfactorcausingthedistortioninhigherenergyrange.Intheregionadjacenttothebeamlinewherethecontributionfrom12Cionsdomi-nates,thecontributionsfromsecondaryfragmentsareignorable.Thefurtherfromthebeamaxistheregionlocates,thelargerthecontributionsfromsecondaryfragments,untilthecontributionsfromsecondaryfragmentsareignorable.Thefurtherfromthebeamaxistheregionlocates,thelargerthecontributionsfromsecondaryfragments,untilthecontributionsfromsecondaryfrag-mentsexceedthatof12C.Amongallthesecondaryfragments,thecontributionsofH,HeandBionsaremostlynotable.Itisalsofoundthatsomepositron-emittingsecondaryfragmentscouldbeveryusefulforpositionemittingtomography(PET).

  • 标签: 能量沉积分布 离子水 GEANT4 正电子发射 扭曲 SRIM
  • 简介:采用XAFS方法研究浸渍法制备并于低温焙烧的CuO/γ-A12O3催化剂的局域结构。对于CuO负载量小于单层分散阈值的CuO/γ-A12O3(0.4mmol/100m2),结果表明CuO物种是以层状分散的孤立原子簇存在于γ-Al2O3载体表面,其第一近邻Cu-O配位环境的结构与晶态CuO的相似,键长和配位数分别为0.195nm和4。对于CuO负载量等于单层分散阈值的CuO/γ-A12O3(0.8mmol/100m。),已有少量的CuO纳米颗粒生成。对于CuO负载量大于单层分散阀值的CuO/γ-A12O3(1.2mmol/100m2),其结构与多晶CuO的相近。基于CuO在γ-A12O33载体上的三种不同分散状态的结构特点,我们提出了CuO/γ-A12O3催化剂的结构模型。

  • 标签: CuO/γ-A12O3单分散催化剂 XAFS 浸渍法 焙烧 结构 尾气污染
  • 简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。

  • 标签: GAAS 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻
  • 简介:通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面,考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明,催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在,其化学组成主要为FeOOH,且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

  • 标签: 表征 硫化铁 原位担载 催化剂 前驱体 煤液化
  • 简介:用XPS和PES研究了钙肽矿氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物薄膜 电子结构 XPS BATIO3 La1-xSnxMnO3 外延生长
  • 简介:分别测定了纯煤样和浸渍煤样的小角X射线散射,基于GBC理论假设,采用相关函数法计算了原位担载于两种烟煤上FeSO4的粒径分布,考察了助剂Na2S和尿素的添加对其粒径分布的影响,计算结果与XRD表征结果相似,FeSO4在两种煤样上的最可几粒径为4nm左右,分布范围为0.5-8nm,助剂对FeSO4粒径分布的影响较小,它们的添加主要是改变了催化剂前驱体的活性组成。

  • 标签: 煤液化 催化剂 粒径分布 相关函数算法
  • 简介:用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物 La0.9Sn0.1MnO3 庞磁阻薄膜 电子结构 XPS 同步辐射
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅