简介：<正>在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMGCMOS制程。此成本问题
简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功
FinFET并非半导体演进最佳选项
新开发FinFET整合Ⅲ-Ⅴ族与硅材料
