简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：研究了一种基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关,讨论了相空间填充（PSF）效应引起的激子饱和以及光学非线性,计算了在抽运光下的阱中载流子布居数随时间的变化,推导出了探测光偏振态的主轴瞬态旋转角.计算结果表明,在100pJ飞秒脉冲抽运下该全光开关理论旋转角最大可达60°.

简介：

简介：InGaAsP/InPmultiplequantumwellswithquantumwellintermixinghavebeenpreparedbyimpurity-freevacancydisordering.Theluminescentcharacteristicswereinvestigatedusingphotoluminescenceandphotoreflectance,fromwhichthebandgapblueshiftwasobserved.Si3N4,SiO2andSOGwereusedforthedielectriclayertoenhanceintermixingfromtheoutdiffusionofgroupIIIatoms.Allsampleswereannealedbyrapidthermalannealing.Theresultsindicatethatthebandgapblueshiftvarieswiththedielectriclayersandtheannealingtemperature.TheSiO2cappingwithanInGaAscladdinglayerwassuccessfullyusedtoinducelargerbandtuningeffectintheInGaAsP/InPMQWsthantheSi3N4cappingwithanInGaAscladdinglayer.Ontheotherhand,sampleswiththeSi3N4-InPcaplayercombinationalsoshowlargerenergyshiftsthanthatwithSiO2-InPcaplayercombination.

简介：采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.

简介：考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布，给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15～45℃温度范围，其模式增益具有低的偏振相关性（2%以内）；当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时，模式增益逐渐增大，且能在一定温度下保持低的偏振相关（3％以内）。

简介：通过传输矩阵法理论研究左手介质对一维光子晶体量子阱(AB)m(CBAABC)n(BA)m透射谱的影响,结果发现:当C层为双正介质时,光量子阱透射谱中出现2n+1条窄透射峰,当C层为左手介质时,呈现简并现象,光量子阱透射峰中仅出现2n-1条窄透射峰;当C层左手介质折射率负值增大时,光量子阱透射谱向禁带中心两侧移动,同时透射峰快速变窄;当C层左手介质光学厚度负值减小时,光量子阱透射谱向禁带中心靠拢,同时透射峰迅速变窄;光量子阱透射变窄对左手介质光学厚度的响应灵敏度高于对折射率负值的响应。左手介质对光量子阱透

简介：介绍了一种基于VisualC++的量子阱激光器计算机辅助分析工具,采用分层迭代逼近法,提供了单量子阱激光器的计算模型.可以对突变折射率波导进行模式分析,也可以对任意折射率分布的渐变折射率波导进行精确分析.

简介：将有机材料PBD和Alq3交替生长，制备PBD／Alq3有机多层量子阱结构（OMQWs）。利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定PBD和Alq3最低空分子轨道（LUMO）和最高占据分子轨道（HOMO）。从能带图可看出，类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构。利用小角X射线衍射（XRD）和荧光光谱研究了OMQWs的结构特征和光致发光特性。本文基于四个周期制备了不同势垒层和势阱层厚度的样品。随着势垒层厚度地变化，PBD与Alq3之间的能量转移也有所变化，文中将给与讨论。

简介：在适当选择结构参数基础上,通过传输矩阵法计算模拟光子晶体(AB)m(CD)n(BA)m结构模型的透射谱,当光子晶体(CD)n的三个导带分别处于光子晶体(AB)m(AB)m相邻的三个禁带中时,构成光子晶体三量子阱结构,在光量子阱透射谱的归一化频率1.0(ωa/2πc),2.0(ωa/2πc)和3.0(ωa/2πc)三处周围,分布着三套具有规律的局域共振峰,出现明显的量子化效应,且三套透过峰数目都可以通过光子晶体(CD)n的重复周期数n来调节,这一现象可用于设计可调性多通道滤波器。

简介：有机电致发光器件（OLEDs）的研究不断地深入，其亮度、效率、寿命等发光特性也得到了较丸也提高。近些年，Forrest等人提出有机多层量子阱结构（OMQWs）的概念，随后又将其应用到OLEDs中，从而增强了具有这种结构的器件的发光特性。本文从这种结构的分类、结构表征、吸收特性、光致发光及电致发光等特性和应用方面进行讨论，进而总结了有机电致发光主要应用和研究进展，并提出存在的问题及展望。

简介：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、A1N及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中一个十分重要的课题就是这些材料所构成的异质结中的光学声子模及其电声相互作用。由于光学声子模对纤锌矿量子阱的理论性质有重要的影响。因此研究纤锌矿GaN／ZnO光学声子模性质具有十分重要的物理意义。

简介：考虑GaN/AlxGa1-xN有限抛物量子阱（PQW）中空穴有效质量及声子模的各向异性,采用LLP变分法计算了外电场作用下有限PQW中激子的能量.结果表明,轻、重空穴激子的基态能随阱宽的减小而增大,结合能随着阱宽的减小,先增大后减小;考虑极化子效应时,结合能有明显的降低;轻空穴激子的结合能和基态能量均比重空穴激子的高;闪锌矿阱中激子的基态能量比纤锌矿阱中的高,而闪锌矿阱中激子的结合能比纤锌矿阱中的低;有外电场作用时,激子的结合能和基态能量降低较明显.

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

简介：InGaAsP/GaAsSCHSQWlaershavebeenpreparedbyLPMOCVD.Thedependenceofthresholdcurrentdensityoncavitylengthwasexplained.Laserdiodesarecharacterizedbytheoutputpowerof1W20W,thresholdcurrentdensity(Jth)of330A/cm^2to450A/cm^2andexternaldifferentialquantumefficiency(ηd)of35%to75%,andthesecharacteristicsareingoodagreementwiththedesignedrequirement.

简介：采用非平衡格林函数方法求解量子输运过程，探讨结构对称性对双量子点干涉仪中量子输运的影响，结果表明，调节点一导线间耦合，导致双量子点干涉仪结构对称性和电子传输路径不同，使得电子隧穿并联双量子点结构呈现出一系列的新奇特性。当点一导线间的耦合强度不同，两量子点中阶梯状的平均电子占据数的分离程度不同，且两台阶的平缓程度也不同，证明了结构决定性能，也为设计可控量子器件提供一个理论依据。

简介：同一品种、同一规格的装修材料,不同商家报价悬殊;明明多买了几平方米的瓷砖,可实际贴上却不够用;商家声称绝对是环保地板,但装修之后甲醛还是超标;明明买的是名牌涂料,可刷到墙上的却是另外一个牌子……近一段时间,记者接到多名消费者打来的电话,反映自己在购买装修材料的过程中遇到的蹊跷事儿。那么,装修材料市场是否真的暗藏'猫腻'?如果有,其中的'陷阱'

简介：摘要超纠缠是对光量子系统中纠缠增加自由度，其可以提高通信的信道容量和安全性。对双光子超纠缠系统进行改进，提出的超纠缠纯化协议是通过空间量子状态转移过程，保留之前丢弃的量子态。具有高保真度的多光子系统的偏振状态可以被转换为具有低保真度的另一个多光子状态，而不会干扰其偏振状态，这使得改进后通信系统具有更高的效率。

简介：介绍了量子计算的基本原理及量子通信的可行性,并对量子信息的表达方式及其实现方法、量子同调态等做了探讨

简介：本文介绍了量子计算纠缠和量子比特的基本概念，系统阐述了几种主要的量子算法：Shor算法——大数质因子分解的量子算法；Grover搜索——无序数据库的搜索；Hogg搜索——高度结构化搜索。在对量子计算基本理论和量子算法有一定认识的基础上，进一步介绍了在量子计算实验方面起重要作用的二种体系：核磁共振、腔与原子体系。