简介：<正>00585UltraBroadbandMEMSSwitchonSiliconandGaAsSubstrates/R.Chan,R.Lesnick,D.Caruthetal(UniversityofIllinois,USA)//GaAsMANTECHConference.2003.—25报导了高可靠dc～110GHz低压毫米波GaAs与Si衬底MEMS开关的性能。当频率高至110GHz,该开关插损小于6dB,隔离度大于15dB,开关寿命大于6.9×10~9循环。文章还介绍了实现超宽带性能及高可靠性所采用的设计方法和制造方法。

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简介：MEMS（Micro-Electro-MechanicalSystems，微机电系统）是将微型机械、微型执行器、信号处理和控制电路等集于一体的、可批量制作的微型器件或系统。MOEMS则是Micro—Opto—Electro-MechanicalSystem的缩写。把微光学应用到微机电系统中，这是MEMS在光通信中的重要应用。微光电机械芯片通常是指包含一个以上微机械元件的光系统或光电子系统，其应用将遍及光通信、光显示、数据存储、自适应光学及光学传感器等多个方面。

简介：<正>MEMS智能化时代的核心交互器件。MEMS(微机电系统)是指集微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统。在智能化"感知"时代,MEMS以其体积小、功耗低、灵敏度高等优点,成为智

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简介：在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。

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简介：RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件，与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点，将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计，工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品，基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为：膜桥高度2um～3um、驱动电压〈30V、频率范围0～40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB，样品参数性能达到了设计要求。

简介：PackagingofMEMS(micro-electro-mechanicalsystem)devicesposesmorechallengesthanconventionalICpackaging,sincetheperformanceoftheMEMSdevicesishighlydependentonpackagingprocesses.ALandGridArray(LGA)packageisintroducedforMEMStechnologybasedlinearmulti-axisaccelerometers.FiniteelementmodelingisconductedtosimulatethewarpagebehavioroftheLGApackages.Amethodtocorrelatethepackagewarpagetomatrixblockwarpagehasbeendeveloped.Warpageforbothpackageandsensorsubstrateareobtained.Warpagepredictedbysimulationcorrelatesverywellwithexperimentalmeasurements.Basedonthisvalidatedmethod,detaileddesignanalysiswithdifferentpackagegeometricalvariationsarecarriedouttooptimizethepackagedesign.Withtheoptimizedpackagestructure,thepackagingeffectonaccelerometersignalperformanceiswellcontrolled.

简介：<正>2013年6月17日,增长速度最快的半导体公司SiTime公司(SiTimeCorporation)宣布,推出TempFlatTMMEMS。在TempFlat出现之前,所有MEMS振荡器都采用补偿电路来达到所需频率稳定度。而SiTime的TempFlatMEMS是一个革命性的突破,通过消除温度补偿需求,大幅度的促进了性能的提高,尺寸的缩小,功耗和成本的降低。YoleDeveloppement的策划经理和首席分析师LaurentRobin表示:"到2018年,预计MEMS振荡器市场将以60%的复合年增长率增长,达到4.67亿

简介：<正>据《SolidstateTechnology》2003年第3期报道,美国北卡州三角研发园区的Ziptronix公司新开发了不同半导体界面材料的键合技术,将微机电系统(MEMS)和声表器件(SAW)进行全晶圆级的封装。这一工艺技术进行各种灵活且低成本的设计,并使MEMS与IC技术匹配,而无需复杂的结构、测试和组装,这一工艺技术约占MEMS元件成本的

简介：本文介绍了一种在MEMS磁传感器中利用剥离工艺制作斜面barber电极的技术。通过研究曝光量、PEB温度和PEB时间对负胶倒角的影响得到最佳工艺条件，负胶形貌为倒梯形，等效倒角约69°。曝光量主要影响曝光区域链式反应的充分度；PEB温度和PEB时间主要影响链式反应后收缩应力的释放程度。优化后的工艺成功运用在MEMS磁传感器barber电极的制作中，平面和斜面barber电极无脱落异常。

简介：<正>沈阳罕王集团是中国东北的大型民营铁矿生产集团,该公司已开始为微机电系统(MEMS)兴建一家大型晶圆厂。晶圆厂2012年3月动工兴建,位于沈阳以东40英里左右的抚顺。罕王计划投资30亿元人民币(约4.75亿美元),分三个阶段进行开发。罕王表示,尽管初期准备安装200毫米晶圆生产设备,但厂房是为满足"300毫米晶

简介：射频MEMS技术为实现微型化、集成化及智能化,以及探索具有新原理和新功能的器件与系统提供了重要途径。概述了射频MEMS的主要优势和在雷达领域的主要应用方向,在此基础上重点介绍了国外基于射频MEMS技术的T/R组件设计、X波段相控阵天线演示验证系统及针对Ka波段低成本无源相控阵的探索情况,并给出了新一代MEMS高集成度电子扫描阵列研究项目的最新进展。

简介：拥有模拟和数字领域的混合信号半导体解决方案的供应商IDT@公司（IntegratedDeviceTechnology，Inc．）宣布，已推出全球首款针对高性能通信、消费、云和工业应用的CrystalFreeTM压电MEMS（pMEMSTM）LVDS／LVPECL振荡器。IDT的新型振荡器可在业界标准封装中以远低于1皮秒的相位抖动运行，

简介：<正>2014年3月13日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)积极扩大压力传感器的市场份额,新推出的LPS25H微型压力传感器以其为移动应用优化的独特创新功能赢得一线智能手机厂商的青睐。据IHS研究报告显示,随着消费者对更先进的新款智能手机和平板电脑的需求日益提高,全球消费电子产品压力传感器市场规模将于2017年达到3.75

简介：

简介：过去几年中,微机电系统(MEMS)一直被认为是光传输系统MEMS技术的波长选择性交换结构及其交换原理,分析其可靠性并讨论在全光网中的应用.

简介：SiliconLabs（芯科实验室有限公司）日前宣布推出业界最高集成度基于MEMS的Si50x振荡器，旨在替代需要低成本、低功耗和批量生产的工业、嵌入式和消费类电子应用中的通用型晶体振荡器（XO）。新型Si50x振荡器基于SiliconLabs专利的CMEMS@技术，此为首个在大批量生产中把MEMS架构直接构建于标准CMOS晶圆（Wafer）上，从而获得完全集成的高可靠“CMOS＋MEMS”单芯片解决方案。

简介：物联网（IOT）、智能硬件、汽车电子、工业4．0等给传感器带来了巨大的市场机遇。在结束的“第三届全球传感器高峰论坛暨中国物联网应用峰会”上，业内人士表示，基于巨大的机遇和碎片化的市场需求，MEMS传感器成为传感器发展的新机遇，专注服务中小公司的平台类公司开始不断涌现。