简介：

简介：Fieldemissionoccurredinsuperconductingradio-frequency(SRF)cavitiesisthemajorobstacleoftheacceleratorsoperatingathighgradient,whichpartlycausedbytheinnersurfacecontamination,suchasthehydrocarbonsandtheabsorbedresidualgas.Theplasmaprocessingcanbeaneffectivemethodtosolvethefieldemissionissues.Thepropertiesoflowtemperatureglowdischarge,whichwasargonplasmawiththechemicallyreactiveoxygen,wereinvestigatedfortheSRFcavitiesusedforCADSproject.

简介：在situcomposites在艾尔矩阵上研究严重塑料变丑的影响规则，10?wt%艾尔3在situ的Zr/2024Al增强粒子合成被准备由直接融化反应(DMR)，然后，合成是由有90的一个方向的热伪造?%塑料变丑。然后，前进状态的微观结构合成被观察，并且机械性质的变化法律和磨擦表演在以后并且在塑料使变形前被比较。结果显示艾尔3增强Zr的粒子旋转并且闯入10-20的更小的尺寸?ng可溶的biopolymer有三个转变金属离子的牛的浆液白朊(BSA)(M，M=Cu，公司，Mn)。白朊一定的金属离子的有约束力的模式和比率被调查。BSA-M建筑群被紫外力的、圆形的二色性(CD)描绘系列和polyacrylamide胶化电气泳动(页)。当聚合物支架和金属建筑群作为催化活跃中心工作了，BSA服务了。当到BSA的转变金属离子建筑群的有约束力的比率是5:1时，结果证明BSA的结构仍然保持未改变。而且，清除superoxide阴离子自由的基(O\(_{2}^{\bullet-}\？？

简介：

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简介：Normally,itisdifficulttodirectlymeasurethebandgapsofperovskitebasedonmethylammonium（MA）orformamidinium（FA）athightemperaturesduetomaterialdecomposition.Wepreventthedecompositionbykeepingthesynthesizedperovskitefilms（MAPbI3andMAPbI3）inorganiciodidevapors,thenmeasurethein-situresistanceofthefilmsatvariedtemperatures,andfurtherevaluatethebandgapsofthesetwomaterials.Theevaluatedbandgapsareconsistentwiththeresultsfromultraviolet-visible（UV-vis）absorptionspectrum.ThebandgapofMAPbI3decreaseswithtemperatureabove95℃,whereasthatofFAPbI3firstincreaseswithtemperaturefrom95℃to107℃andthendecreaseswithtemperatureabove107℃.

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简介：基于镍的复合的层被阳极化在五分钱板上准备在一75?wt%H3PO4答案包含NH4F。这层然后被galvanostatic控告/解除(GCD)对待直到黑外部层被分开，留下象为supercapacitors的没有文件夹的电极材料的镍板上的一部电影。这部电影由Ni组成的微结构描述表演(哦)2和NiO，和没有氟化物在同样获得的电影被发现。电气化学的测试证明这个没有氟化物的电影电极展出954的一个高电容?F圆形的二色性(CD)系列和polyacrylamide胶化电气泳动(页)。当聚合物支架和金属建筑群作为催化活跃中心工作了，BSA服务了。当到BSA的转变金属离子建筑群的有约束力的比率是5:1时，结果证明BSA的结构仍然保持未改变。而且，清除superoxide一？？

简介：在里面从科学巡航的situ海表面咸度(SSS)大小到盖住30的东南印度洋的西方的地区??ǜ

简介：P-typenitrogen-dopedZnOfilmsarepreparedsuccessfullybyin-situthermaloxidationofZn_3N_2films.Thepreparedfilmsarecharacterizedbyx-raydiffraction,non-Rutherfordbackscattering(non-RBS)spectroscopy,xrayphotoelectronspectroscopy,andphotoluminescencespectrum.TheresultsshowthattheZn_3N_2filmsstarttotransformtoZnOat400°Candthetotalnitrogencontentdecreaseswiththeincreasingannealingtemperature.Thep-typefilmsareachievedat500℃withalowresistivityof6.33Ω·cmandahighholeconcentrationof+8.82×10~(17)cm~(-3),aswellasalowlevelofcarboncontamination,indicatingthatthesubstitutionalnitrogen(N_O)isaneffectiveacceptorintheZnO:Nfilm.ThephotoluminescencespectrashowclearUVemissionsandalsoindicatethepresenceofoxygenvacancy(V_O)defectsintheZnO:Nfilms.Thep-typedopingmechanismisbrieflydiscussed.