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  • 简介:信息产业部25日发布的最新统计显示,到9月底,全国手机用户数超过5.2亿,手机普及达到39.9%。也就是说,平均每10个中国人中约有4人使用手机。今年以来,受手机单向收费的刺激,手机用户数大幅增长。

  • 标签: 普及率 中国人 手机 信息产业部 统计显示 单向收费
  • 简介:NB代工厂仁宝股东会于6月登场,董事长许胜雄在致股东营业报告书指出,今年仁宝5c产品(Computing运算、C0mmunication通讯、Consumer消费电子、Cloud云端伺服器、Connecting网通)总出货量年增可达两位数,展望乐观。

  • 标签: 两位数 工厂 NB 消费电子 报告书 董事长
  • 简介:随着科技的发展,手写体数字的识别这一功能在许多的方面都有很多用途,特别是在我们的日常生活中。支持向量机在机器学习方面最主要的优势是在解决小样本、非线性和高维模式识别问题中具有突出的效果,被广泛用于信息识别中。为了提高手写体数字的识别,本文提出了一种基于改进的C-支持向量机的手写体数字高识别方法,实验结果证明基于改进的C-支持向量机的手写体数字高识别方法有效可行。

  • 标签: C-支持向量机 手写体数字 识别率 信息识别
  • 简介:概伦电子科技有限公司近日宣布推出其良导向设计(DFY)平台的新产品NanoYield^TM,该产品以IBM授权的专利技术为基础,旨在通过高效的良分析和设计优化,提升高端芯片设计的竞争力。

  • 标签: 导向设计 专利技术 电子科技 IBM 工具 设计优化
  • 简介:在本文中,我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管(硅雪崩二极管)在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流(DC)电压补偿,单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

  • 标签: 硅雪崩光电二极管 单光子探测器 稳定工作 雪崩二极管 温度变化 探测方法
  • 简介:随着大陆无晶圆厂(Fabless)IC设计公司不断冒出头来,芯片委外制造的需求也与日俱增,为大陆晶圆代工市场注入一股增长动能。市场研究机构ICInsights指出,2017年专业晶圆代工厂在中国大陆的营收预计跃增16%,达70亿美元,占全球晶圆代工产值13%的比重。

  • 标签: 市场占有率 晶圆代工 中国大陆 台积电 IC设计公司 研究机构
  • 简介:信息技术以其爆炸式的发展速度迅速覆盖了社会和人类生活的各个角落。其所带来的便利使人们的工作效率大为提高。CAD技术目前在设计领域得了普及。CAD技术的应用使得设计人员告别了画图板,告别了铅笔手绘,使作图轻松高效。然而现代技术并没有停下脚步,她还在不停的为设计业带来更多的便利,HiteVision革命性的推出的审图改图系统,贴近CAD技术,为设计业的方案讨论、图纸评审、图纸审核提供了一个便捷的平台。

  • 标签: 信息技术 设计业 革命性 审图 网络时代 系统
  • 简介:改进的CS算法和等效斜视的波数域算法是适用于大距离徙动高分辨星载SAR成像的两种算法.为了给算法的选择提供一些参考,本文对两种算法进行了性能分析和比较,给出了两种算法在成像精度、算法的适应性和运算量三个方面的特点,并利用大量的仿真实验验证了分析结果.

  • 标签: 高分辨率 星载SAR 成像算法 性能比较 性能分析
  • 简介:光突发分段和光组合突发交换是解决光突发交换中竞争问题的较好的技术,本文介绍了这两种技术,并用排队论模型分析了它们的分组丢失率性能,说明它们相对于JET的性能优势.

  • 标签: 光突发交换 分组丢失 分段 性能优势 组合 降低
  • 简介:本文论述了吸水对印制线路基材性能的影响及影响机理,提出了改善基材吸水的一般原则和方法,由于纳米复合材料的阻隔性,对降低印制线路基材的吸水有一定的借鉴意义.

  • 标签: 纳米材料 纳米技术 印制线路板 基材 吸水率
  • 简介:本文通过基于多尺度马尔科夫随机场模型的最大似然算法及基于传统马尔科夫随机场势函数的像素间Gabor相似方法,使用迭代条件模型对影像进行分割,使用K均值分类算法对分割后的影像进行分类,选择北京市通州区作为研究区,使用上述方法对多幅该区域的高分辨合成孔径雷达影像进行了分类,新方法可以实现优于传统算法的分割精度,能够清晰区分建筑物之间的边界。

  • 标签: 城市地物分类 合成孔径雷达 多尺度马尔科夫随机场
  • 简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移以及迁移如何影响温度系数(TC)。迁移模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

  • 标签: 功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区