简介：
简介：经常有人将磁阻RAM（MRAM，MagnetoresistiveRandomAccessMemory）称作是非易失性存储器（NVRAM，Non—VolatileRAM）未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM是可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。
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飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来
