简介：摘要：

简介：摘要：碳化硅在工业上常用作磨料。近年来,碳化硅开始作为铁液预处理剂应用于铸造生产中,它是一种低成本的预处理剂,铸造中使用的碳化硅纯度一般在90%左右。碳化硅是一种由硅和碳元素在共价键中结合而成的非金属碳化物,化学式为SiC,形状为晶体,密度为3.2g/cm³。

简介：摘要：随着工业自动化和电气化的快速发展，对高效能、高可靠性电机控制器的需求日益增长。碳化硅（SiC）作为一种新型半导体材料，因其在高温、高频和功率密度方面的优异性能而成为高速电机控制器设计的理想选择。基于此，本文主要探讨SiC高速电机控制器的应用优势、设计要点，并提出相应的设计策略，以期达到更高的能效和系统稳定性。

简介：摘要：现在以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体在工业上的应用已成为未来发展趋势。碳化硅 SiC材料具有击穿电场强度高、热稳定性好、载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，使得 SiC器件具有耐高温、耐高压、损耗小、开关频率高、动态性能优良等优点，在较高电压等级 (高于 3 kV)、散热要求高或对电力电子装置性能有更高要求的场合，有着硅器件无法比拟的优势，具有良好的应用前景。

简介：经国务院批准，财政部、国家税务总局今天公布部分产品出口退税率调整情况，自5月1日起，煤炭和钢材的出口退税率分别下调为8％和11％，此前，钢坯钢锭等高耗能产品的出口退税政策已经取消。

简介：制备技术是获得高性能碳化硅多孔陶瓷的关键。综述了碳化硅合成方法和成孔方法对碳化硅多孔陶瓷一些主要的制备技术，主要包括烧成／烧结法、原位氧化反应结合法、反应烧结法、碳热还原法、先驱体转化法、化学气相渗透法等。介绍了各种方法的工艺过程，分析了优缺点，指出了今后发展的方向。

简介：碳化硅多孔陶瓷具有抗腐蚀、抗热震性及低的热膨胀系数等特点，在冶金、化工、环保、航空、微电子等技术领域具有广泛的应用。综合阐述了制备碳化硅多孔陶瓷的主要工艺与制备过程，并对相关工艺的特点进行了分析，最后展望了碳化硅多孔陶瓷的发展趋势。

简介：从碳化硅（SiC）功率半导体器件的等效电路入手，分别讨论了碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）与碳化硅结型场效应功率晶体管（SiCJFET）的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题，设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明，SiC新器件具有良好的开关特性，驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：摘要：随着光伏产业的发展，作为传统磨料的碳化硅，由于其硬度高、粒度小且粒径分布集中等性质成为硅片切割中的主要切削介质。为了保证切割过程的稳定需要加入大量的切割砂浆，其主要成分就是碳化硅。由于切割时外力的作用使碳化硅砂浆最终不能符合切割要求而成为废料，该废料中含有大量的碳化硅，导致原料的大量浪费。如果将其回收之后再应用于工程实践中，不仅可以防止资源浪费，而且也改善了环境污染等问题，符合我国资源节省、环境协调和可持续绿色发展的战略需求。

简介：摘要：碳化硅单晶材料具有优异的物理和化学性质，成为了众多高科技领域的重要材料。同时，在碳化硅单晶材料生产和应用过程中，残余应力的存在极大地影响了材料的性能和寿命。在碳化硅单晶材料的制备和应用过程中，残余应力的检测和分析是一个重要的环节。本文对于多种残余应力检测技术进行了介绍和比较，旨在为碳化硅单晶材料的生产和应用提供参考，促进相关技术的研究和发展。

简介：摘要：本文探讨了碳化硅半导体在电力电子领域的应用前景。通过深入分析碳化硅半导体的特性和优势，以及电力电子领域的需求，我们认为碳化硅半导体具备在高温高压、高频高功率等复杂工况下稳定工作的潜力。关键技术突破和市场推动将进一步促进碳化硅半导体在电力电子领域的广泛应用，为能源转型和电力系统的可持续发展提供有力支持。

简介：摘要：本研究旨在探究碳化硅晶体的缺陷与电学特性之间的关系。通过系统性的实验分析，发现不同类型的晶体缺陷与电学性能之间存在密切关联，为深入理解碳化硅材料的性能提供了重要线索。本文结合电学测试和缺陷表征，揭示了晶体缺陷对电子迁移率、载流子浓度等电学特性的影响机制。结果不仅拓展了对碳化硅材料的认知，也为材料的进一步优化与应用提供了有力支持。

简介：概述了近几年来国内湿法烟气脱硫项目快速发展的形势和进口脱硫喷嘴占绝对主导地位的状况，说明喷嘴国产化的必要性和紧迫性。较为详细地介绍了喷嘴的材料要求和性能要求，分析了喷嘴国产化中亟待解决的一些问题，比如调整材料配方，掌握烧结技巧；组织力量设计喷嘴形线，研究喷嘴雾化粒径等；并提出了相应的建议。

简介：该研究以制备高强度和高气孔率的多孔碳化硅陶瓷材料为目标,利用低温烧结技术制备并研究了两种烧结助剂结合的多孔碳化硅的性能。通过对两种烧结助剂结合的多孔碳化硅在物相组成、微观结构、强度和气孔率方面的对比发现：使用苏州土和硅微粉作为烧结助剂虽然能够提高材料的室温强度,却影响了气孔率;采用只有Al2O3和MgO的烧结助剂,在较少的添加量下就可以获得相近的室温强度并且气孔率较高、较均匀,更适用于工业过滤除尘领域。

简介：麻省理工学院的核反应堆研究所的研究人员发现涂层材料能够对反应堆提供更好的安全性、减少维护，并能在工业运行的条件下允许铀燃料更充分地反应。由于碳化硅（SiC）在高温下具有超凡的强度、与水和蒸汽的超低的反应活性、超低的中子吸收特性、

简介：摘要：在科技飞速发展的当今，碳化硅产业在全世界都稳健发展着。我国在吸取国际上的经验后，宽禁带半导体产业也形成了一定规模。从业者应将国外的先进技术作为借鉴，根据其经验，全面提高国产碳化硅的制造与研发能力。本文将对碳化硅行业现状以及技术难点进行论述，并分析未来发展趋势。

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简介：摘要：本文介绍了黏土结合碳化硅耐火材料的工艺和性能。首先，介绍了黏土结合碳化硅耐火材料的制备工艺，包括原料选择、配料比例、成型方法、烧成制度等。其次，详细阐述了黏土结合碳化硅耐火材料的物理性能和化学性能，包括体积密度、气孔率、强度、耐磨性、抗热震性、抗氧化性等。最后，总结了黏土结合碳化硅耐火材料的应用领域和发展前景。

简介：以硅酸钠为硅源，蔗糖为碳源，硫酸为催化剂，采用溶胶一凝胶法和碳热还原反应合成碳化硅（SiC），并用X射线粉末衍射（XRD）、N2吸附一脱附和场发射扫描电子显微镜（FESEM）等手段对产物进行表征。实验结果表明，碳化硅试样具有典型的介孔材料特征，改变硫酸与蔗糖添加量可以调控和优化产物结构；当反应物配比n（C）：n（Si）：n（S）=3．00：1：0．44时，可制得比表面积为235m^2·g^-1、孔体积为0．46cm^3·g^-1的碳化硅。