简介：根据空间应用电子设备的热控要求，对空间光学遥感器的控制电箱进行了热控设计。首先，总结了空间电子设备的热设计原则。针对空间光学遥感器控制电箱介绍了相应的热设计流程，对典型的大功率器件进行了温差推算，并说明了电箱的各电路板和大功率元器件的热设计方案。最后，通过热分析和热试验手段对热控电箱的热控方案进行了验证。试验结果表明：控制电箱的整机稳态工况热平衡温度小于30℃，各元器件的最高壳温在54.2℃以内。结果验证了该设计方案完全满足设计指标要求。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比．32分别为0，2％，4％，6％，8％的Ba（Ti1-xMnx）O3铁电薄膜。研究发现：当x为6％时，漏电流和矫顽场均达到最小，与未掺杂时相比，漏电流降低了约3个量级，矫顽场电场强度降低了约60％，P—E回线的矩形度增加。实验结果表明：通过适量掺杂Mn离子，可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能，提高铁电薄膜的极化，降低薄膜的漏电流。

简介：

简介：利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴，发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高，可以得到晶体表面的定量信息等，得到了KTiAsO4晶体铁电畴的原于力显微镜照片，并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。

简介：以PbO，MgO，Nb2O5，TiO2为原料，采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0．92PMN-0．08PT陶瓷，并对其相的组成、微观形貌、介电性能和储能性能进行了研究。在25℃，1kHz条件下，该陶瓷的相对介电常数高达27480，介电损耗tan艿仅为4％，电滞回线形状细长，剩余极化很小，可释放的能量密度达0．31J·cm-3.结果表明：室温下该陶瓷具有优良的介电和储能性能。

简介：采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的。

简介：利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156＋156＊0．18mm的多晶硅太阳能电池片进行划片实验，得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系，从而找出了Q开关的最佳频率范围值，并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳能电池片电性能参数差异的原因。

简介：【本节需学习的内容】通过探究活动“观察手电筒”和“如何使一个小灯泡亮起来”，认识电路的组成元件及其作用，知道电路的三种状态，并会作图表示．

简介：采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12（BIT）薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

简介：提出利用MATLAB/SIMULINK软件设计工厂电气控制课程的实验,并给出一个实验作了详细说明。通过这些实验,将有助于学生理解理论知识,学习利用MATLAB/SIMULINK解决电气控制问题。

简介：采用准静态模型近似描述地表异常电场传播到电离层的过程，建立了强震前带电气溶胶排放产生的附加电流，造成大气层一电离层传导电流扰动，最终造成电离层中电场扰动的计算方法；分析了电离层中电场发生明显扰动的区域大小与带电气溶胶排放参数的对应关系，并根据我国川滇地区和大华北地区强震等震线的特点，计算了不同等震线长短轴比值下，电离层中电场扰动面积随地震震级及带电气溶胶数密度的变化规律。结果表明：强震前气溶胶浓度远大于能引起电离层异常的最小气溶胶浓度值，会在地表处产生一个幅值小于100V·m-1的异常电场，并在电离层内产生幅值大于10mV·m-1的扰动电场；在相同气溶胶粒子数密度和相同震级条件下，等震线长短轴的比值k越小，电离层中电场异常区域越大。