简介：以纳米氧化铟锡（ITO）粉末为原料，采用离心喷雾造粒技术制备高性能ITO造粒粉体，通过SEM、激光粒度仪及松装密度仪等手段研究浆料固相含量、粘结剂含量及雾化器转速对干燥粉体形貌、粒径分布、流动性和松装密度的影响。结果表明：当浆料固相含量为50%、粘结剂为1%、雾化器转速为10800r/min时，喷雾造粒得到的ITO粉体成球率较高、粒径分布均匀、松装密度和流动性显著提高。用该ITO造粒粉末经冷等静压成形制坯和常压烧结制备靶材，压坯和烧结坯的致密度可达到61.7%和99.27%。

简介：以金属铜箔和镍粉为原料，采用涂覆法制备出Ni—Cu多孔薄膜。采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、x射线衍射仪（XRD）、原予力显微镜（AFM）等设备对所制Ni-Cu薄膜的显微结构、物相组成进行表征。通过压泡法对所制多孔薄膜的通量及孔径进行测试，并探讨薄膜的成孔机理。研究表明：所制备Ni-Cu多孔薄膜厚度约为50μm，平均孔径约10girl；涂覆面通过Ni粉的松装烧结形成多孔结构；铜箔一测的孔是由于Kirkendall效应所产生的空位沿着晶界扩散在表面聚集而成。

简介：采用无压熔浸法制备SiC／Al复合材料，并利用颗粒堆积和毛细管力的静力学理论研究造孔剂含量对SiC／Al复合材料抗弯强度的影响。通过扫描电镜对试样的断口形貌进行分析，发现造孔剂含量为20％（质量分数）时，残余孔隙较小，而造孔剂含量为10％和15％时，残余孔隙较大。造孔剂含量对抗弯强度产生影响，随造孔剂含量增加，抗弯强度先增大后减小，造孔剂为20％时，抗弯强度出现最大值343．63MPa。

简介：紧耦合气雾化制粉过程中,当雾化气压超过某一临界值时,直管环缝型喷嘴的气雾化流场结构存在＂开涡—闭涡＂突变现象,雾化效果随之发生显著改变。该文采用数值模拟方法研究紧耦合喷嘴气体流场中开涡和闭涡结构特征及其突变行为,以及雾化介质类型和喷嘴几何结构参数（喷射顶角、导液管伸出长度和末端直径、环缝宽度）对临界雾化压力Pc的影响。结果表明：当雾化压力P略高于Pc时,马赫盘迅速截断回流区,流场结构由开涡向闭涡突变,并引起喷嘴熔体出口下方抽吸压力Pa骤降,突变前后抽吸压力差ΔPa约为30kPa;雾化介质类型和喷嘴主要几何结构参数对Pc有显著影响,但对ΔPa无明显影响。

简介：采用Al片和SiO2粉末为原料，以H2为保护气氛，通过气相沉积方法合成Al2O3纳米片。采用XRD、SEM、TEM和EDS等分析表征手段研究合成的Al2O3纳米片的物相组成、显微形貌和微区成分。结果表明：合成的Al2O3纳米片具有光滑平整的表面，厚度为100-300nm，具有完好的菱方六面体结构。通过纳米压痕仪对合成的α-Al2O3纳米片的力学性能进行原位表征，利用Oliver-Pharr方法由加载．卸载曲线直接计算纳米片的硬度和弹性模量，经计算得知α-Al2O3纳米片的硬度值为26±5GPa，略高于单晶α-Al2O3块体材料；弹性模量为249＋32GPa，仅相当于对应的单晶块体材料的55％左右。

简介：采用化学气相沉积法（chemicalvapordeposition，简称CVD）不仅可以制备金属粉末，也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料。该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料，通过化学气相反应合成所需粉末，因其制备的粉末纯度高，比表面积大，结晶度高，粒径分布均匀、可控，在粉体材料制备方面的应用日趋广泛。该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程。CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤。按照加热方式不同，CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等，用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点，选择合适的气源，开发更为安全、环保的生产工艺，以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证。