简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。
简介：在“强光一号”加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对单片机脉冲γ辐照闩锁效应的抑制作用.
简介：通过实验验证马吕斯定律,并分别在消光位置与检偏器和起偏器偏振化方向夹角为45°的位置为检测点测量费尔德常数。通过分析实验数据及理论推导得出在检偏器和起偏器偏振化方向夹角为45°的位置时仪器的灵敏度最好。
简介：本文以较为流行的几种物理实验教材中“光电效应实验线路”为例，探讨了大学物理实验是否“准确表达实验原理”、“实现教育目的”等问题，并指出应“告别忽悠实验迎合理论，彰显实验格物穷理初衷”。
电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用
EE80C196KC20型单片机小系统的脉冲γ辐照效应实验研究
法拉第效应实验中不同光强点对磁光调制器灵敏度的影响
告别忽悠实验迎合理论，彰显实验格物穷理初衷——对大学物理实验教材中光电效应实验线路能否展示遏止电压的追踪研究
