简介:摘要科技在不断的发展,社会在不断地进步,为提高电力电缆排管防护沟槽的装配化程度和便于局部更换,研发了预制装配式排管防护沟槽结构体系,开展了沟槽结构的参数化设计。选取典型结构构造形式,采用原型试验研究和有限元分析相结合的方法,分析了覆土厚度分别在1m和3m两种工况下,结构应力分布和位移变化规律。研究结果表明,覆土厚度对结构竖向位移、普通钢筋拉应力影响显著,覆土厚度为3m时的结构竖向位移、普通钢筋拉应力值分别是覆土厚度为1m时对应值的2.4倍和2.3倍。槽壁是结构主压应力的控制构件,底板是纵向拉应力和主拉应力的控制构件。底板主拉应力随覆土厚度增大而明显增加,当覆土厚度为3m时,主拉应力极值为2.61MPa,略小于C50抗拉强度标准值2.64MPa.
简介:【摘要】学校作为用水大户积极推进节水型校园建设工作,提高=师生节水意识,降低学院用水支出,近年来,各高校随着办学规模的扩大,学校的资源消耗也逐年增加,能源费用支出在学校总的费用支出中占了相当大的比例。对学校洗漱间安装智能感应水控系统、公共卫生间安装智能感应节水系统经多家学校使用,该方式是较为理想的节水措施之一,投资小、见效快。
简介:前言:主轴承盖是机车用柴油机重要零部件之一,承受曲轴的重量和转动力矩,需要具备一定的刚性和强度;主轴承孔安装轴承瓦与曲轴之间有一定油隙,起到润滑和散热的作用,因此主轴承盖也是具有较高精度的零件之一,图样要求较高,因此在加工工艺中考虑加工精度的同时,也要考虑到加工应力变形对精度要求较高部位的影响。
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。