简介:以钛酸四丁酯(TBOT)为前驱体,三嵌段共聚物(P123)为模板剂,用溶胶一凝胶法合成了孔径分布均匀的介孔TiO2;用小角X射线衍射(SAXRD)、X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和红外光谱(FT-IR)等分析手段对产物结构和光学性能进行了表征。结果表明:TiO2为介孔结构,在低于400℃煅烧时介孔结构稳定性高,孔径均匀分布,晶型全部为锐钛矿。光催化降解对氯苯酚表明介孔TiO2具有优异的催化性能,在250W紫外灯照射2h后,氯化有机物中的苯环特征峰完全消失,降解率可达95.3%。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。