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二氧化硅工艺中颗粒污染的解决方案

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摘要在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

DOI pd5mp2p2j7/1202471

作者杨旭敏;施国勇

机构地区不详

出处《电子与封装》 2013年1期

关键词颗粒 APCVD 二氧化硅炉管

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2013年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电子与封装

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