首页 > 《电子与封装》 > 2014年2期 > 单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

DOI lj11z6x5jv/1430144

作者刘武平;周星;韩鹏宇;邓小川

机构地区不详

出处《电子与封装》 2014年2期

关键词 RF LDMOS 槽型sinker 击穿电压功率增益漏极效率

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2014年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1胡丹,杜安波,杨诚. 大功率晶体管热学设计探讨.,2022-06.
2孙再吉. 230W大功率GaN高频晶体管.物理电子学,2005-06.
3许允亮, 李卫红 ,李家贵. PNP低频大功率晶体管小的漏电流研究.,2023-07.
4蔡建国. 大功率晶体管和集成电路的热过程分析.职业技术教育学,2002-02.
5吕志新. 单颗粒大功率LED灯问世.热能工程,2007-06.
6王林川. 某功放组件大功率芯片的散热设计和仿真.建筑技术科学,2023-09.
7钟朝晖. RF和微波晶体管功率增益测量.物理电子学,2001-03.
8. 半浮栅晶体管将引发芯片革命.工业设计,2013-10.
9邵可,刘申,李福生. 基于MOS管的大功率驱动电路设计.电力系统及自动化,2023-02.
10邵可,刘申,李福生. 基于MOS管的大功率驱动电路设计.电力系统及自动化,2022-12.

来源期刊

电子与封装

2014年2期

单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

来源期刊

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

来源期刊

相关推荐

同分类资源 更多

相关关键词

同分类资源更多