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SOI技术问题和BSIM3SOIv1．3模型参数特点

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摘要 SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点，SOICMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用？但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战。作为SOI模型国际标准，BSIM3SOIv1．3提出了新的模型参数解决方案。BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型，是在体硅MOS器件模型工业标准（BSIM3V3）的基础上开发而成，BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性，自加热和体接触提出相应的模型参数：

DOI 2d31xe8n49/559291

作者顾爱军;孙锋

机构地区不详

出处《电子与封装》 2007年11期

关键词 PD SOI 体效应自加热效应 BSIM3SOI

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2007年11月21日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电子与封装

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