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基于高压反偏以及保护系统的研究

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摘要摘要：SIC作为第三代功率半导体器件在市场中应用更加广泛，主要得益于其开关速度快、功率密度高和DS可以承受更大的直流电压，其主要应用于新能源汽车工业，电力电子及其电力行业、航空航天等反面，这些行业以及设备无一例外都关系人民群众的安全以及电力国防的安全，故其对可靠性要求较高。本文以SiC MOSFET 为研究对象，并且根据AQG324标准设计动态反偏实验平台，研究其在高压反偏条件下的失效特性，同时在保证测试条件的情况下加入检测报警装置，从而满足安全性以及可靠性的需求。

DOI ojz2w8y0j5/7896722

作者李博然杨晓玲肖雨

机构地区广州广电计量检测集团股份有限公司广东广州 510656

出处《当代电力文化》 2023年16期

关键词动态反偏采样保护 AQG324 光耦隔

分类 [电气工程][电力系统及自动化]

出版日期 2023年12月19日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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当代电力文化

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