采用简单的化学沉积结合KOH碱刻蚀的方法，在导电玻璃（FTO）上生长ZnO纳米棒阵列（ZnONRs）。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、电流-电压（I-V）曲线对所得样品的晶型、形貌及光电性能进行测试，结果表明：ZnONRs呈纤铅矿型；ZnONRs的形貌及光电性能与KOH的浓度及刻蚀时间密切相关，经0.1mol/LKOH刻蚀1h后可得到排列高度有序且分布均匀的ZnONRs；KOH刻蚀后的ZnONRs与未刻蚀前高密度的ZnONRs相比，其光学性能得到提高。0.1mol/LKOH刻蚀1h的ZnONRs作为太阳能电池的光阳极，其光电转换效率、短路电流、开路电压较未刻蚀的ZnONRs分别提高了0.71%、2.79mA和0.03V。
中国有色金属学报：英文版
2012年11期
