光照对光刻机焦平面漂移影响的研究

(整期优先)网络出版时间:2016-04-14
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光照对光刻机焦平面漂移影响的研究

张玉虎聂彬王军帽岳浩

(合肥京东方光电科技有限公司安徽合肥230012)

摘要:研究了光刻机曝光过程中,热效应引起焦平面发生漂移的原因,并对热效应过程进行分析,通过光照时间与冷却时间的关系对应焦平面漂移关系,及时进行焦平面补偿,以及对成像系统进行温度控制,可对焦平面漂移进行有效控制

关键字:热效应;光刻机;焦平面漂移

随着TFTLCD技术的不断发展,显示性能不断提高,TFT产品性能逐步向高清化转变,高分辨率、高响应速度产品日趋主流化,TFT结构单元的走线设计也必然越来越密集,这就对光刻机曝光焦平面提出了更高要求,当产品线宽接近光刻机分辨率时,曝光单元是否能精确的处于聚焦平面上,将严重影响产品的关键尺寸,偏离焦平面,则光刻图案易产生失焦(图(1)、图(2)),从而影响产品的关键尺寸,产品关键尺寸偏离控制目标值,直接影响TFT产品的光学电学性能[1]。

光刻机进行光刻时,虽然光刻机采用了调焦调平技术[2],保证每次光刻区域处均于光刻机焦平面范围内,但由于投影物镜受到光照的影响,光刻物镜产生热效应,从而引起光刻机焦平面发生飘移,使得在光刻机调焦调平系统的运行下,仍然出现产品失焦情况,本文以canon6G光刻机为例,分析了投影物镜热效应引起焦平面漂移的原因,并提出了相应的控制方法,可有效避免产品失焦风险。