设计了一种工作在0～8GHz频段的热驱动式RFMEMS开关．开关利用热驱动方式实现横向金属直接接触，因此具有较好的射频性能．开关的结构层由厚的电镀镍和氮化硅组成，由于氮化硅的绝缘作用，实现了射频信号与驱动信号的隔离，有助于进一步提高射频性能．分析了在较小变形量的情况下，突起角度与顶点位移量的关系．电镀的金壁作为接触金属降低了接触电阻．开关通过Metal—MUMPs工艺进行成功流片，测试结果显示，开关在8GHz有小于0．9dB的插入损耗和大于30dB的隔离度．
东南大学学报：英文版
2007年4期
