在缺点上的ZnO电影的掺杂物的影响被慢正电子歼灭技术调查。参数遇见的结果表演SS艾尔>Sun>S为做Al的ZnO电影，undoped和做Ag的ZnO的Ag拍摄。锌空缺与不同掺杂物在所有ZnO电影被发现。根据S参数和一样的缺点类型，锌空缺集中在做Al的ZnO电影是最高的，这能被导致，并且它是在做Ag的ZnO电影的最少。当艾尔原子在在硅底层上种的ZnO电影被做时，Zn空缺作为与undoped和做Ag的ZnO电影相比增加。当锌空缺的缺点形成精力强烈取决于费密水平的位置时，掺杂物集中能在材料决定费密水平的位置，因此它的集中与掺杂物元素和掺杂物集中变化。
中国物理快报：英文版
2008年12期
