简介：用实验和有限元的分析方法研究0．05mm～0．125mm铝线的引脚跟断裂问题，结果显示由于引线键合工艺、注塑工艺以及回流焊中封装体各部分不同的热膨胀系数引起的热应力和塑性变形是产生引脚跟断裂的主要因素。模拟不同的回流焊温度曲线（220℃、240℃、260℃）对铝线的影响，发现在铝线引脚跟处应力和应变最大，而且随着温度的上升，铝线引脚跟处的塑性变形会提高20％，这对铝线的疲劳损伤是很严重的。

简介：本文阐述了无源超视距侦察系统中所用的对流层散射原理,探讨了基于对流层介质散射传播对无源超视距侦察的影响,分析了影响超视距无源侦察系统侦察距离的主要因素,并结合散射损耗指标理论分析,给出了实际工程估算方法。在此基础上,介绍了超视距侦察工程样机的原理设计与实施要点。

简介：T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化。针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证。将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

简介：Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

简介：瞬态极化雷达采用＂同时发射、同时接收＂的测量体制,可以利用正交极化通道的单次回波信号测量目标极化散射矩阵。首先给出了窄带瞬态极化雷达信号模型和信号处理方法;然后详细分析了两类瞬态极化雷达信号波形（频移脉冲矢量波形和正负调频斜率LFM矢量波形）的测量性能;最后用国防科技大学研制的X波段瞬态极化雷达系统开展外场实验,实验结果表明：与分时极化测量结果相比,两者的相对幅度测量结果差异小于2dB,相对相位测量结果差异小于10,°从而验证了瞬时极化测量的有效性。

简介：<正>在高功率的广播发射机、视频发射机以及某些高频、中频高功率设备中,一般要使用高功率电容器。这些高功率电容器中用量最多的为高功率陶瓷电容器,也有一些是真空电容器(固定的或可变的)。高功率陶瓷电容器种类繁多,根据不同的使用要求有高频、低频之分,高频、低频高功率电容器除所用瓷料不同外,在结构、外型尺寸、各种电气指标等有较大区别。高功率电容器在高功率设备中用于槽路的耦合、旁路、馈电、谐振、滤波等

简介：摘要目前，人们逐渐意识到传统能源的储量和污染问题，在这种趋势下环保节能的光伏发电技术得到重视与发展。光伏发电技术中最重要的便是光伏功率预测技术，光伏功率预测对光伏发电控制、性能提高、保障光伏电站平稳运行等方面都起着重要作用。本文主要介绍了光伏功率预测技术的基本原理和关键问题，通过研究分析光伏电站数据对提高光伏预测技术的几点重要问题进行分析。

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简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。

简介：WCDMA系统采用宽带扩频技术，所有用户共享上、下行频谱资源，每一个用户的有用信号的能量都被分配到整个频带内，但这种有用信号对其他用户将会产生干扰。如何控制用户间干扰、改善功率利用率，提高整个系统的用户容量和通话质量，以便更有效地利用无线资源呢？对此，功率控制成了解决问题的重要手段。

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：自1973年前苏联用相对论返波管产生10ns400MW的脉冲输出到2003年美国高功率电磁脉冲炸弹首次用于伊拉克战争,高功率微波武器的发展已近半个世纪,微波武器的概念目前尚未被大众所知。首先简要综述了高功率微波系统的组成、基本概念,以及高功率微波的发展历史、世界各国研究现状和高功率微波的基本效应、威力、对抗高功率微波的措施、研究中的安全防护、研究高功率微波的仪器、仪表、设备、方法及手段;最后分析了目前的水平和困难、高功率微波能量传输的极限及高功率微波武器的安全问题。

简介：功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展，其种类日新月异。同时，模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果，详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态，并对其封装结构及主要封装技术，如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。

简介：不同的通信系统对于功率测量的要求可能会有较大的差异。例如，两种流行的第二代（2G）无线通信制式即时分多址（TDMA）系统和码分多址（CDMA）系统对功率测量的要求存在着差别。但是，随着通信业向第三代（3G）无线通信系统的发展，TDMA和CDMA系统将相互融合。这些新系统的功率测量要求也将趋于一致。是否具备所需测量的能力是选择功率测量系统的关键因素，但快速、可重复性和精确的测量能力的支持也是必不可少的。本文将探讨这些兼容系统所需要的功率测量类型，并重点介绍一些由良好设计的测试系统对提高测量精度的促进作用。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

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简介：随着国内半导体工艺水平的不断提高,固态合成功率放大器也开始大量的被应用到各种微波工程之中。目前国内多种固态合成功率放大器的产品皆以多路波导合成的方式获得大功率。在使用这些多路合成结构对大量功率器件进行功率合成时,一个或者多个器件的失效将对总体的输出功率造成多大的影响便成为了大家极其关心的性能指标。文章对固态功率合成器进行了理论的分析,通过计算推导出端口失效的模式。对两路合成器进行了仿真得到了失效50%会导致功率下降6dB的结论。并通过对八路波导合成功率放大器的失效模拟试验,验证了前面的计算分析。最后对试验中取得的数据进行比较分析得出了该数据在实际工程应用的作用。

简介：摘要随着科技的进步与创新，时代的发展与前进，集成电路产业不断地飞跃，集成电路已经渗透在我们生活中的各处领域，特别是便携式的电子产品。作为消费类的音频功率放大器采用集成方式实现，也是集成电路领域中重要的一部分。因此，对高性能音频功率放大器的研究与设计具有重要的实际意义。本文首先对基本共发射极与共集电极放大电路的结构和基本工作原理进行初步了解，再掌握功率放大电路和构成集成运算放大器中的基本单元电路——差分放大电路与电流源电路。最后针对功率放大器的非线性失真小，静态功耗小，电源效率尽可能高等性能，选择差动输入级功率放大器，利用Multisim仿真。

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。