简介:随着在交流电动机高效率速度控制方面所使用的调速传动装置(ASD)应用的增长,费用昂贵的、与电动机传动装置有关的作业故障,也渐渐多了起来。通用的ASD由一个以2-20kHz切换多个绝缘栅双极晶体管的脉冲宽度调制逆变器组成,电压上升(dv/dt)率为6000伏/微秒。由于电动机端子过电压(因电缆长度较长而加剧)高的dv/dt造成对电机绝缘的有害影响,并由于共模电压原因而加剧EMI(电磁干扰)、损坏轴承并造成漏电。针对这些问题,涌现了各种缓和技术。然而,在文献中寻找直接的解决办法的工业用户,时常面临着诸多困难:确定哪一种缓和技术对于他/她的应用才是最好的。本文利用实验室测量,对所提出的各种用于轴承电流、EMI以及电动机端子过电压的缓和技术,根据它们的效率和损耗,进行了评价与比较,并且为用户提供了实用的应用评定。
简介:为了研究高开关速度下寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiCMOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。