简介：摘要：统计过程控制（SPC）是应用数理统计分析来监控生产过程，提升过程能力的工具，主要强调过程的预防，适用于各行业的质量控制过程。本文简述SPC在VDMOS功率器件制造过程中的应用，以对生产过程中发现的问题提出预警，及时解决，恢复过程稳定，从而提高和控制产品质量。

简介：摘要：大功率半导体器件能够提供高效率、高可靠性和高性能的能源控制解决方案，对于实现绿色能源、节能减排以及推动电动化、智能化进程具有至关重要的意义。随着电动汽车、可再生能源和智能电网等领域的迅速发展，对大功率半导体器件的需求也日益增长，因此大功率半导体器件的发展不仅关乎科技创新，更关乎能源革命、产业升级和社会发展。本文将探讨大功率半导体器件的发展现状、关键技术挑战以及未来展望，以期为相关领域的研究人员、工程师和决策者提供有益的参考和启发。

简介：摘 要：功率器件VDMOS电参数直接影响着器件工作性能，其电参数失效模式众多，其中源漏漏电IDSS最为常见，且其失效原因复杂，同时也最难解决。本文就其中一种渐变型IDSS失效进行分析总结，并优化在线工艺，提升良率。

简介：

简介：摘要：本论文针对高可靠性高速量产大功率半导体器件引线框架关键技术展开研究。通过对传统引线框架的分析和改进，提出了一种新型的设计方案。该方案采用先进的材料和制造工艺，能够提高器件的可靠性和工作速度，并实现大规模量产。通过实验和模拟验证，结果表明该引线框架具有优异的性能和稳定性。研究成果对于促进大功率半导体器件的应用和发展具有重要意义。

简介：摘 要： 本论文旨在探讨纳米半导体材料和器件的研发制造工艺技术。首先介绍了纳米材料和半导体器件的基本概念和特点，然后重点探讨了纳米半导体材料的制备方法和工艺技术，包括物理和化学合成方法。接下来，重点讨论了纳米半导体器件的制造工艺技术，包括纳米器件的设计、制备和性能测试。最后，对纳米半导体材料与器件研发制造工艺技术的应用前景进行了展望。

简介：摘要：本文系统性地探讨了半导体器件设计与制造的关键方面。首先介绍了设计阶段的器件功能需求分析、结构设计和参数优化；然后阐述了制造流程中的晶体生长、器件加工工艺和封装测试步骤；接着分析了材料选择、微纳加工技术以及工艺参数控制与优化等关键技术；最后探讨了未来发展趋势，包括材料创新、集成度提升、智能化制造等方面。本文综合分析了半导体器件设计与制造的现状和未来发展方向，为相关研究和应用提供了重要参考。

简介：摘要：半导体纳米材料是指具有纳米级尺寸的半导体材料，其具有较大的比表面积、量子效应和尺寸限制效应等特性，因此在光电、电子、能源等领域具有广泛的应用前景。本文将介绍半导体纳米材料的制备方法及其在器件中的应用，为相关研究提供一定的参考和指导。

简介：摘要：半导体纳米材料是指具有纳米级尺寸的半导体材料，其具有较大的比表面积、量子效应和尺寸限制效应等特性，因此在光电、电子、能源等领域具有广泛的应用前景。本文将介绍半导体纳米材料的制备方法及其在器件中的应用，为相关研究提供一定的参考和指导。

简介：摘要：针对于半导体来讲，其只有七十多年的历史，但对社会发展的影响极大，半导体技术发展与其材料的物理性质有较大关联。半导体材料可以应用到诸多领域，如晶体管、集成电路、电力电子器件及光电子器件等等，是国家科技发展的关键标志。基于此，本文主要分析超宽晋禁带二维半导体材料与器件，希望可以为相关人士提供参考和借鉴。

简介：摘要：随着社会经济的快速发展和环保意识的增强，人们对节能减排提出了更高要求。由于环境污染和资源枯竭问题，全球各国都在加大力度研发新型节能减排技术。而功率半导体芯片作为现代电子设备的心脏，也被寄予了厚望。在这样一个背景下，功率半导体芯片行业经历了技术、市场等一系列的变化。本文分析了功率半导体芯片的发展道路与应用方式，为相关人员提供了一定的借鉴意义。

简介：摘 要： 半导体物理与器件是微电子技术的基础课程，也是电子科学与技术、光电信息工程、微电子学、新能源科学与工程等专业的重要基础课。为满足新时代高等教育发展要求，注重学生创新创业能力培养，注重学生实践能力培养，注重学生自主学习能力培养。本文主要从课程教学改革出发，分析当前教学过程中的问题和不足，并结合本课程专业性特点，在教学理念、教学方法、教学模式、综合成绩考核标准进行改革探索，并以此提升本课程的教学质量、提升学生的创新创业能力和实践能力、提升学生的综合素质。

简介：【摘 要】联合专利分类体系（CPC）是一种能快速、准确的检索专利文献的有效工具，本文针对半导体集成电路器件领域的CPC分类和实践运用情况进行了分析。

简介：摘要：量子点是近年来发展较快的纳米荧光材料，特别是在医疗卫生、离子检测、催化反应等领域受到了研究人员的重点关注。因具有发射波长跨度大、峰型窄、粒子的粒径均匀、斯托克斯位移大和紫外吸收光谱宽等优点，在发光领域占据重要地位。半导体白光 LED 作为 21 世纪的新型照明器件,具有节能、寿命长、体积小、色彩丰富、绿色环保等显著优势,可以广泛应用于显示、普通照明等领域。 LED 照明技术的开发及推广,具有重要的经济效益。目前,在 LED 芯片上涂覆荧光粉的白光器件已得到广泛应用,微米级的荧光粉存在较大的荧光损失,且吸收光谱范围较窄,对 LED 芯片要求较高,配成的白光存在色温偏冷,显色指数较低等问题。而纳米级的半导体量子点则可以克服以 上缺点,相应的研究已经取得了很大进展。

简介：摘要：本文探讨了半导体分立器件在高频通信领域的应用与性能分析。首先概述了半导体分立器件的基本原理与分类，然后详细分析了其在无线通信、雷达等高频通信领域的应用。接着，从频率特性、噪声性能、功率性能等方面对器件性能进行了深入分析。最后，讨论了器件的优化与设计方法。本文的研究对于提升高频通信系统的性能具有重要意义。

简介：摘要:半导体器件与集成电路设计与制造技术是电子信息领域的核心技术之一，对现代社会的科技进步和经济发展具有重要影响。随着科技的不断发展和应用需求的增长，半导体器件与集成电路的性能需求也在不断提高，对其设计与制造技术提出了更高的要求。因此，深入研究半导体器件与集成电路设计与制造技术的最新进展、挑战及其未来发展方向，对于促进该领域的创新和推动电子信息产业的发展具有重要意义。

简介：摘要：在宽条型半导体激光器光束特性的理论基础上，从光学设计、散热设计、结构设计等三个维度分析了915nm半导体激光器的光纤耦合情况，并提出了一种适用的光束质量评价方法；通过采用3支输出功率为12W的单管激光器得到耦合输出功率为33.7W，耦合效率达到93.62%，亮度达到18.85MW/cm2 -str。在此基础上通过ANSYS进行热分析，计算结果显示新热沉结构最高温度为35.67摄氏度，该结构具有良好的散热特性。

简介：摘 要：本文分析了引起传统工艺制造的 VDMOS阈值偏高的因素：体区浓度和栅氧厚度，提出了工艺窗口筛选的方案，实验结果表明该方案在器件的击穿电压、通态电阻以及源漏间漏电流不发生改变的同时，实现了阈值电压的调整，达到了 3.45V的设计要求。同时研究了 Pbody不同注入剂量 5.5E13、 5.3E13、 5.0E13和 4.8E13对高压小电流 VDMOS产品阈值电压的影响。

简介：摘要：近年来我国科技水平、经济水平、文化水平等不断提升，进而我国医疗行业、航天事业等发展均较为迅速，半导体激光器为新型能源，不仅可用于医疗行业、航天事业中，同时还可用于军事行业、美容行业、材料处理等各行业中，高效促进各行各业的有效发展，但在此过程中温度差异对半导体激光器的使用产生较大影响，对此需及时研制出相关温度控制技术，尽可能减少温度对其不利影响。

简介：摘要：本文对一种适用于IGCT功率器件的柔直功率单元试验系统进行描述，试验系统由高压三相整流柜、三相柱式调压器柜、升压变压器柜、空心电感、试验控制台、监视测量柜等设备组成。该试验系统主要是对功率单元的电气性能进行验证，同时满足IGCT功率器件双脉冲测试、短路测试等试验，对优化产品设计、提高产品质量起到支撑作用。