简介：基于密度泛函理论，用第一性原理计算研究了氯原子在氧化铟半导体表面的吸附作用．结果表明，经过氯原子吸附后的氧化铟表面功函数随着氯原子覆盖度的增大而线性地增大．电子局域态密度及电荷转移分析发现，氯原子吸附能够饱和氧化铟表面悬挂键，使得表面铟原子的电荷转移到氯原子上，在氧化铟表面形成一层电偶极子．表面电偶极子的形成导致氯吸附的氧化铟表面势能被抬高，从而提高了其表面功函数．

简介：分光光度法是铟的检测中最为常用的方法，选用铟的5-Br-PADAP分光光度法，通过实验绘制了铟的标准曲线，并将得到的标准曲线应用到胺基螯合纤维富集铟的解吸曲线中，得到了满意的结果.

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

简介：本研究开发了一种铁系刷涂防蚀型磷化液，通过考察磷化温度、后处理方法、磷化液的pH值等对磷化质量的影响来探讨磷化机理。该铁系磷化液在5℃以下仍可使用，其彩色磷化膜连续、均匀、致密，膜重近2g·m^-2耐蚀性能优良。

简介：通过空气无对流影响试验和气体流速0.2m/s影响试验,研究了氧气浓度梯度对脉冲激光法试制纳米氧化铟粉体影响.结果表明：氧气浓度梯度是影响熔化铟发生氧化反应时刻的重要因素,0.2m/s的空气流速,消除铟表面氧气浓度梯度,提升熔化铟发生氧化反应的时刻的一致性;氧气浓度梯度是影响氧化铟粉体生长速率一致性的重要因素,0.2m/s的空气流速,消除铟表面氧气浓度梯度,纳米氧化铟粉体的形状、尺寸等一致性较好.

简介：生长了一种新配比的铒掺杂铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅单晶（25PIN-44PMN-31PT-0.02Er2O3）,并对晶体做了完整的冷加工和极化,得到了沿〈001〉方向极化的晶体样品.在室温下利用椭圆偏振仪测量了晶体的折射率谱,通过最小二乘法拟合得到了晶体的赛尔迈耶尔方程各参数.其中Eo=5.471eV;Ed=22.56eV;k=227nm;So=0.8002×10^14m-2.利用紫外-可见-红外分光光度计获得了晶体透射率谱,晶体紫外吸收边为400nm.同时通过计算得到了样品的禁带宽度为2.94eV.

简介：本文从有机磷化合物结构变化时其在生物体内的作用机制和解毒机理的影响,说明其非神经毒性的变化规律.

简介：摘要：学习化学总是难以联系实际，对绿色化学思想的学习以开磷化工污水处理为中心引入，对近几年高考题的的思考，拓宽学习的思路和眼界。