简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：通过研究BaF2晶体经中子辐照后的荧光发射谱,对它们的变化规律进行了解释。探讨了BaF2晶体经中子辐照后出现的现象和机理。

简介：总结比较了国内外利用高亮度γ源进行核共振荧光（nuclearresonancefluorescence,NRF）研究的最新成果,从理论上分析了NRF的反应截面,介绍了利用Geant4对NRF过程的蒙特卡罗模拟,通过比较不同激发光源下得到的NRF实验结果,说明了激光康普顿散射源在NRF研究中的优势。介绍了NRF实验中常用的背散射探测方法和透射探测方法,分析比较了不同探测器的性能。最后,展望了未来NRF的研究方向。

简介：利用F-2500FLSpectrophotometer荧光分光光度计测定了不同浓度下二苯乙烯三嗪型荧光增白剂（VBL）溶液体系的吸收光谱,分析了吸收光谱特性随荧光增白剂溶液体系浓度的变化规律,得到了吸收谱峰值I.（或吸收谱峰值的对数Log（Imax））及吸收谱起始波长S两组新的反映荧光增白剂溶液体系浓度的敏感参量,并给出了利用该敏感参量进行荧光增白剂溶液体系浓度的检测方法.

简介：用微波高温固相法合成了Er^3+单掺Lu2O3,Li^+与Er^3+共掺Lu2O3及Li^+,Zn^2+,Mg^2+掺杂Lu2O3∶Er^3+的荧光粉。实验表明金属离子Li^+、Zn^2+、Mg^2+、Er^3+掺杂Lu2O3,不影响Lu2O3的立方晶相。扫描电子显微镜测量表明,Li^+掺杂可以有效改善粉体的分散性和形貌,Li^+,Zn^2+,Mg^2+共掺杂获得的粉体颗粒分布更加均匀,粒径范围为80~100nm。379nm激发下,Li^+与Er^3+共掺样品发光较单掺Er^3+样品在565nm处的发光增强了4.5倍,而Li^+、Zn^2+、Mg^2+与Er^3+共掺样品较其发光增强5.3倍。980nm激发下,Li^+与Er^3+共掺样品,Li^+、Zn^2+、Mg^2+与Er^3+共掺样品的发光分别比单掺Er^3+样品在565nm处发光增强23倍与39倍,在662nm处发光强度分别增强20倍与43倍。379nm激发下,较单掺Er3+的样品,掺杂Li^+的样品和Li^+,Zn^2+,Mg^2+和Er^3+共掺的样品荧光寿命均有所增加,而Zn^2+、Er^3+共掺及Mg^2+、Er^3+共掺样品的荧光寿命则有所缩短。