简介:采用真空蒸发法制备相同厚度的PbTe薄膜,再利用RF磁控溅射法在上面制备不同厚度的Ag反射膜,采用XRD、SEM、FTIR和四探针法分别对制备样品的物相组成、表面形貌、透射率和电阻率进行测试,结果显示,所制备的薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向,呈多晶结构,随着反射膜厚度的增加,薄膜结晶性能先降低后增加;晶粒尺寸增加,表面粗糙程度先降低后增加;薄膜光学性能在一定膜厚范围内,随着反射膜厚度的增加透射率降低,超过一定膜厚时,透射率降为零;随着反射膜厚度的增加,电阻率呈先急剧降低后缓慢降低的趋势。
简介:采用电化学法得到了具有电致变色性能的厚度为100~200nm的聚苯(PANI)薄膜,研究了聚合时间对PANI膜光电性能的影响。研究结果表明,在适当的聚合时间下,PANI膜呈现色域较宽、颜色饱和度较大的梯度颜色变化过程,其电荷转移电阻(Rct)和紫外吸收曲线及颜色间的响应时间(Responsetime)呈现规律性的变化,且在该聚合时间下,膜达到最大光学对比度(35%),有望在电致变色智能窗上取得良好的应用。
简介:详细总结了采用溶胶-凝胶法、沉淀法、水(溶剂)热法等液相合成法制备纳米SnO2的研究成果和进展,展望了制备氧化锡纳米材料及其作为气敏材料的应用前景。
简介:综述了国内外纯铜表面改性技术的研究现状;主要介绍了电镀、热扩渗、气相沉积、热喷涂、激光熔覆技术在纯铜表面改性中的应用;分析了这些表面改性技术的优势和局限性,通过比较其工艺特点对前景进行了展望。
简介:日本东北大学开发出作为读取记录容量为5TB级超高密度硬盘(HDD)信息的磁头元件的垂直平面电流模式巨磁阻元件(CPP—GMR)。由于元件的强磁性膜使用的是被称为半金属霍伊斯勒合金的材料,因此获得的与信息读取灵敏度(输出信号大小)相关的磁阻(MR)比在70%以上,比迄今为止CPP—GMR领域所发表的值提高了近一倍。
简介:采用红外吸收光谱仪和高效液相色谱仪分析不同条件下丙三醇降解聚酯PET对得到中等分子量PET降解产物结构和纯度的影响,并用端基分析法测试表征不同条件下反应得到的PET产物的环氧值和平均分子量。通过分析和对比,得出PET降解产物的结构性能和中等分子量PET降解最佳工艺(温度在280℃附近,催化剂Zn(Ac)2·2H2O占PET质量的1%,物料配比丙三醇用量是废弃PET质量的3.5倍左右,醇解时间3.Oh左右;醇解产物的环氧值(EV)可达0.336,平均分子量(M)降为297)。
简介:采用DSC—TG法对不同钢厂的矿渣水泥水化过程进行了监控,计算了氢氧化钙含量的变化。结果表明,DSC-TG法可以很好地反映出矿渣的水化情况,不同来源的矿渣与氢氧化钙接触后表现出不同的反应速度,矿渣自身的水化存在缓慢发展期和加速期两个阶段。
简介:论述了CA-FE(元胞自动机-有限元)法模拟金属材料凝固微观组织的原理及国内外的研究现状,提出了目前存在的问题和进一步的研究趋势,特别是应用到有色金属材料和贵金属材料的凝固微观组织的计算机模拟研究中。
简介:日前,由哈尔滨商业大学梁金钟教授承担的黑龙江省“十一五”重大科技攻关项目“微生物发酵法玉米生产高分子聚合物(γ—PGA)的中试研究”在哈尔滨通过专家鉴定。鉴定委员会主任邓子新院士认为,该项目具有重要的学术价值和应用前景,以玉米为原料用微生物发酵法生产高分子聚合物的发酵工艺和技术达到国际先进水平。
简介:中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展。掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。采用22纳米集成电路技术可以在一根头发丝的横截面上集成大约1000万个晶体管,从而使集成电路产品的功能更多样化,
Ag反射膜厚度对PbTe热电薄膜性能的影响
电化学聚合时间对聚苯胺纳米膜光电性能的影响
液相法合成纳米氧化锡概述
纯铜表面改性工艺研究进展
日本东北大学将半金属霍伊斯勒合金用于巨磁阻元件的强磁性膜
丙三醇降解废弃聚酯工艺条件的研究
DSC-TG法分析矿渣在水泥中的水化过程
CA—FE法凝固组织数值模拟的应用研究进展
我国首用微生物发酵法合成一种新型高分子聚合物
我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展