简介：镁合金系金属间化合物的强化机理主要有基体强化和晶界强化两种。目前在镁合金研究领域应用较为广泛的计算机模拟方法有第一性原理方法、蒙特卡罗方法、分子动力学方法等，介绍了国内外计算机模拟镁及镁合金微观组织结构的研究进展，探讨了镁合金模拟的发展方向。

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：基于Lindhard-Robinson模型，利用NPRIM和NJOY程序，模拟计算了4种典型辐照场景下，Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明，DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密，Fe是比较好的耐中子辐照材料。

简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：美国匹兹堡的Allegheny科技公司（ATI）收购了位于Billerica的动态流体计算软件集团。动态流体计算软件是采用准确的流体计算生产出一个薄壁的合金零件，例如，镍基合金和超合金，钛和钛合金，锆合金，以及不锈钢合金和特殊合金等。“我们己明确了动态流体软件产品的的今后发展方向，特别是将重点发展航空和石油、燃气市场。

简介：近日，美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress（NVMe）2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储，可以17mm×17mm的规格进行封装，兼容M．2、U．2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外，还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：利用热力学软件Thermal—Calc计算了Sanicro25耐热钢中的平衡态析出相，分析讨论了关键元素含量变化对析出相的影响规律。研究结果表明：增加钢中W、C含量可以升高M23C6的回溶温度以及增加M23C6的析出量，Cr、Co含量对M23C6的析出量没有明显影响；Cr含量越低，W含量越高，Laves相的回溶温度越高，析出量越大；Q、N含量越低，Nb含量越高，MX相的析出量越高；Nb含量越高，N含量越少，Z相的析出量越大；W、Cr含量越高，σ相析出量越大，回溶温度越高。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.