简介：轧了nanorods被磁控管劈啪作响和加氨系统综合，并且Tb中间的层的厚度被改变学习效果在上轧了nanorods。结果被扫描电子测试显微镜学(SEM)，X光检查衍射(XRD)，传播电子显微镜学(TEM)，高分辨率的传播电子显微镜学(HRTEM)，和光致发光(PL)系列。结果证明Tb层的厚度在形式，质量，和光性质上有明显的效果轧了nanorods。在房间温度的PL系列在368点显示出一座很强壮的排放山峰?nm和弱排出物在387点达到顶点?当Tb层是20时，为生产样品的山峰的nm，和紧张到达最大值?nm。最后，20的最佳的厚度?为综合的Tb中间的层的nm轧了nanostructures被完成。

简介：本文以集成电路为代表介绍了元器件失效分析方法、流程、技术及发展，失效分析是元器件质量、可靠性保证的重要环节，随着元器件设计与制造技术的提高以及失效分析技术及分析工具水平的提高，对元器件失效模式及失效机理的认识逐步加深，失效分析工作将发挥更大的作用。

简介：由于LED技术的进步，LED应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之LED照明产品。然而由于高功率LED输入功率仅有15至20％转换成光，其余80至85％则转换成热，若这些热未适时排出至外界，那么将会使LED晶粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿命。

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。