简介：

简介：InternationalRectifier（IR）公司日前宣布，他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓（GaN）材料的新一代功率器件技术平台，该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。

简介：摘要：作为雷达T/R组件核心元器件，GaN功率器件的输出功率、功率密度日渐提高，这对器件长期使用安全可靠性提出更高要求。对此，本文通过分析GaN功率器件失效原因，发现电压过冲、工作结温过高、栅流电压稳定性会影响GaN功率器件长期应用可靠性。针对此，本文提出了行之有效的优化对策，通过加强管理漏极电压过冲问题、强化栅压稳定性、调节GaN管芯沟道温度的方式，提高GaN功率器件应用可靠性，希望此次分析可以为相关业内人士提供参考与借鉴。

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：据《NIKKEIMicroDevices》2009年第8期报道,日本富士通研究所制定了一个称为"应用于电源达到实用水平的性能"的计划,开发GaN基HEMT功率器件。以HEMT为研发基础,争取在2011年下半年达到实用化水平,并到2013～2014

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：Dialog、恩智浦、安森美半导体、TI等公司正在开发GaN基功率半导体器件。面对这些传统功率器件巨头的竞争，NAVITAS如何突出重围呢？

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

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简介：摘要本文对比分析了GaN器件，CoolMOS和SiC二极管的开关损耗，并将图腾PFC和市场主流的H桥PFC进行对比研究。通过两台实验样机研究了GaN器件直接替换CoolMOS后的效率改善，也对比了两种拓扑都使用GaN器件的效率差异，对现有GaN器件的整体性能进行了评估。最后，都使用工频整流对两种PFC拓扑的效率提升空间进行了探索。

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

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简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：摘要：具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一，推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步，而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。

简介：本文介绍了半导体器件热阻的基本概念，讨论了稳态热阻和瞬态热阻的差别，并重点论述了瞬态热阻的测试原理和方法，说明了瞬态热阻测试的技术难点，还对瞬态热阻的测试条件与合格判据的设定提出原则性建议。

简介：摘要：在我国经济与社会快速发展的今天，我国电力电子技术在近些年也得到了较为长足的进步，而智能功率集成电路与功率半导体器件的完美组合，正是这一进步的最直观体现。本文就智能功率集成电路中功率半导体器件进行了深入研究，希望这一研究能够进一步推动我国电力电子技术的相关发展，早日实现智能功率集成系统大规模的推广应用。